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MCR3935-9 发布时间 时间:2025/9/2 14:21:56 查看 阅读:9

MCR3935-9 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)推出的双极型晶体管(BJT)阵列器件,属于低噪声、高增益的PNP晶体管阵列。该器件内含两个独立的PNP晶体管,具有匹配性好、噪声系数低等特点,适用于需要高精度和低噪声性能的模拟信号处理电路。MCR3935-9 通常用于音频放大器、传感器接口电路、前置放大器以及其他对噪声敏感的电子系统中。

参数

晶体管类型:PNP型双极晶体管阵列
  集电极-发射极电压(Vceo):30V
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大功耗(Pd):300mW
  电流增益(hFE):100 - 800(根据等级不同)
  频率响应(fT):250MHz
  噪声系数(NF):1.5dB(典型值)
  封装类型:TO-92
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

MCR3935-9 的核心优势在于其低噪声系数和高增益特性,使其非常适合用于信号链前端的放大应用。其噪声系数在1.5dB左右,能够在微弱信号输入的情况下保持较高的信噪比。此外,该器件的两个PNP晶体管在制造过程中经过激光修整,具有良好的匹配性,从而提高了温度稳定性和偏置一致性。
  该晶体管阵列采用TO-92封装,具有良好的散热性能和机械稳定性。其高频率响应(250MHz)也使其能够适用于中高频模拟电路的设计。由于其低失真和高线性度,MCR3935-9 常用于高保真音频放大器设计中,特别是在前置放大和差分放大器配置中表现出色。
  此外,MCR3935-9 的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,适用于各种工业级和汽车电子应用环境。其最大功耗为300mW,在低功耗设计中也能满足要求。

应用

MCR3935-9 广泛应用于低噪声放大器、音频前置放大器、差分放大器、传感器信号调理电路、仪表放大器、射频前端电路等。此外,该器件也常见于工业控制、测试测量设备、便携式音频设备以及汽车音响系统中。

替代型号

MCR3936-9, BC3935-9, BC3945-9

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