时间：2025/8/7 7:34:20
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BRD1263C-TL 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等。BRD1263C-TL 采用小型化表面贴装封装（通常为 TSMT6 或类似的热效率优化封装），适合在空间受限的电路设计中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：6A
功率耗散（Pd）：1.2W
导通电阻（Rds(on)）：最大 19mΩ @ Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TSMT6
BRD1263C-TL 的核心优势在于其低导通电阻和高电流承载能力，这使得它在高频开关应用中表现出色，减少了能量损耗并提高了整体效率。其低 Rds(on) 值（最大 19mΩ）意味着在导通状态下电压降极小，从而降低了发热并提升了能效。此外，该器件的栅极驱动电压范围为 ±8V，使其适用于多种驱动电路，包括由微控制器或专用栅极驱动 IC 控制的场合。TSMT6 封装不仅体积小巧，还具备良好的热管理能力，有助于在高功率密度设计中维持稳定的工作温度。BRD1263C-TL 的高可靠性设计使其能够在恶劣环境下稳定运行，适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多个领域。
另一个显著特点是其快速开关能力，适合用于高频 DC-DC 转换器设计，例如用于电池供电设备中的升压或降压电路。此外，该 MOSFET 具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供一定的保护。BRD1263C-TL 还具有较低的输入电容（Ciss），有助于减少开关损耗，提高系统响应速度，特别适用于同步整流、负载开关和脉宽调制（PWM）控制等应用场景。
BRD1263C-TL 广泛应用于需要高效、小型化功率开关的电子系统中。其主要应用包括：DC-DC 转换器（如升压、降压和反相拓扑）、电池管理系统（BMS）、负载开关控制、马达驱动电路、LED 照明驱动器、便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和穿戴设备）的电源管理模块，以及工业自动化和控制系统的功率开关部分。此外，该器件也适用于汽车电子应用中的低电压功率控制电路。
Si2302DS, 2N7002, AO3400A, FDS6675, IRF7413
