时间：2025/5/31 3:07:53
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IS61WV102416FBLL-8BLI 是一款由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速、低功耗静态随机存取存储器（SRAM）。该器件采用 CMOS 工艺制造，具有高可靠性、低功耗和快速访问时间的特点。其主要用途是在需要高性能数据缓存的应用中提供稳定的存储支持。
该型号的 SRAM 具有 1M x 16 的组织结构，总存储容量为 16Mb。它支持同步和异步操作模式，并具备突发模式功能以优化连续数据传输的性能。
存储容量：16Mb
组织结构：1M x 16
访问时间：8ns
电源电压：3.3V ± 0.3V
工作电流：95mA（典型值）
待机电流：2mA（典型值）
封装类型：FBGA
引脚数：100
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
1. 高速访问时间：IS61WV102416FBLL-8BLI 提供了仅 8ns 的快速访问时间，非常适合对时延敏感的应用场景。
2. 低功耗设计：该芯片在工作和待机状态下都表现出较低的功耗，有助于延长电池供电设备的续航时间。
3. 突发模式支持：通过内置的突发模式功能，可以高效地进行连续数据读写操作，从而提升系统整体性能。
4. 双电源引脚配置：支持独立的 VDD 和 VSS 引脚，确保稳定的工作状态。
5. 宽温范围：适用于工业级应用环境，能在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内正常工作。
6. 多种操作模式：支持同步和异步操作模式，提供了更大的灵活性以适配不同的应用场景。
IS61WV102416FBLL-8BLI 广泛应用于需要高性能存储解决方案的领域，包括但不限于：
1. 网络通信设备：如路由器、交换机等，用于临时数据缓存和快速处理。
2. 工业控制：在 PLC、数据采集系统等设备中提供可靠的存储支持。
3. 医疗设备：如超声波仪器、监护仪等，要求快速响应和高精度的数据存储。
4. 消费电子：如打印机、扫描仪等，用于缓冲和加速数据处理。
5. 嵌入式系统：作为主处理器的外部存储扩展，提升系统的整体性能。
IS61WV102416BULL-8TLI
IS61WV102416BLL-10BLL
IS61WV102416ALL-8BLI
