时间：2025/9/1 10:58:41
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HYG180N10LS1V 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率电源转换应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流能力，适用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统、电源管理模块等场合。该MOSFET采用高性能的U-MOS VIII-H工艺制造，提供了卓越的开关性能和导通损耗特性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：180A（在Tc=25℃时）
导通电阻(Rds(on))：最大1.25mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
功率耗散(Pd)：300W
HYG180N10LS1V 具有多个关键性能优势：
首先，其导通电阻非常低（Rds(on) 最大为1.25mΩ），这意味着在高电流条件下导通损耗非常小，从而提高了电源转换效率。
其次，该器件采用了东芝先进的U-MOS VIII-H技术，使得其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗，提高了系统整体效率。
再者，该MOSFET的封装形式为TO-263（D2PAK），具备良好的热性能和机械稳定性，适合在高功率密度设计中使用。
此外，HYG180N10LS1V 具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在高应力工作条件下的可靠性和稳定性。
最后，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至10V），可以与多种类型的驱动器兼容，便于系统设计和优化。
HYG180N10LS1V MOSFET广泛应用于多种高功率和高效率电子系统中，包括但不限于：
1. DC-DC转换器：在同步整流拓扑中作为主开关，提升转换效率；
2. 电机驱动和控制电路：用于高效能电机驱动系统，如电动车、工业自动化设备；
3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制，实现高效能和高可靠性；
4. 服务器和通信电源：在高功率密度电源模块中实现高效能电源转换；
5. 太阳能逆变器和储能系统：提高能源转换效率，降低系统发热；
6. 电动工具和电动车控制器：满足高电流、高频率开关需求。
SiZ180DT,TMOSFET TPH1R406NH,TOSHIBA TPCA80N10CI,HAT180N10UV
