PQ12R21 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等应用。PQ12R21 采用高性能的 PowerFLAT 5x6 封装,具有良好的热性能和电气性能。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(VDS):100V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):120A(在 Tc=25°C)
导通电阻(RDS(on)):2.1mΩ(最大值,VGS=10V)
功耗(PD):300W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:PowerFLAT 5x6
PQ12R21 是一款高性能功率 MOSFET,其核心特性之一是极低的导通电阻(RDS(on)),典型值低于 2.1mΩ,这使得在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件支持高达 120A 的连续漏极电流,适用于大功率应用场景,如高电流负载切换和电机驱动。PQ12R21 具有较高的栅极阈值电压稳定性,确保在不同工作条件下仍能保持良好的开关控制性能。
该 MOSFET 支持 ±20V 的栅源电压,增强了其在高频开关应用中的适用性,同时具备良好的抗电压冲击能力。其封装形式为 PowerFLAT 5x6,采用表面贴装技术(SMT),不仅节省空间,而且具有良好的散热性能,有助于提高器件在高温环境下的可靠性。此外,PQ12R21 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适应了广泛的工作环境,从工业级到汽车级应用均可胜任。
为了提高系统的稳定性和耐用性,PQ12R21 还具备出色的雪崩能量耐受能力,能够在突发的高电压冲击下保持正常工作。这种特性在电源转换器、电池管理系统和负载开关等应用中尤为重要。此外,该器件的快速开关速度有助于减少开关损耗,提高整体系统的能效。
PQ12R21 被广泛应用于多种电力电子系统中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、UPS(不间断电源)、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。其优异的导通性能和高电流能力使其在需要高效率、高功率密度的电源设计中具有显著优势。此外,由于其良好的热稳定性和封装散热设计,PQ12R21 也非常适合用于汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)、车载充电器和电池管理系统等。
PQ12R21CY | PQ12R21E | IRF120N10D | SQJA40EP | IPB015N10N5ATMA1