PQ12R21 时间：2025/8/27 18:37:22 阅读：23

PQ12R21 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等应用。PQ12R21 采用高性能的 PowerFLAT 5x6 封装，具有良好的热性能和电气性能。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：2.1mΩ（最大值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

PQ12R21 是一款高性能功率 MOSFET，其核心特性之一是极低的导通电阻（RDS(on)），典型值低于 2.1mΩ，这使得在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件支持高达 120A 的连续漏极电流，适用于大功率应用场景，如高电流负载切换和电机驱动。PQ12R21 具有较高的栅极阈值电压稳定性，确保在不同工作条件下仍能保持良好的开关控制性能。
　　该 MOSFET 支持 ±20V 的栅源电压，增强了其在高频开关应用中的适用性，同时具备良好的抗电压冲击能力。其封装形式为 PowerFLAT 5x6，采用表面贴装技术（SMT），不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，有助于提高器件在高温环境下的可靠性。此外，PQ12R21 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适应了广泛的工作环境，从工业级到汽车级应用均可胜任。
　　为了提高系统的稳定性和耐用性，PQ12R21 还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在突发的高电压冲击下保持正常工作。这种特性在电源转换器、电池管理系统和负载开关等应用中尤为重要。此外，该器件的快速开关速度有助于减少开关损耗，提高整体系统的能效。

应用

PQ12R21 被广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。其优异的导通性能和高电流能力使其在需要高效率、高功率密度的电源设计中具有显著优势。此外，由于其良好的热稳定性和封装散热设计，PQ12R21 也非常适合用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器和电池管理系统等。