时间：2025/8/6 2:30:39
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MCC26-12I01 B 是一款由Microsemi（现为L3Harris Technologies）生产的功率MOSFET模块，专为高可靠性工业和军事应用设计。该模块采用先进的碳化硅（SiC）技术，具有低导通损耗和开关损耗，适用于高效率、高频率的功率转换器设计。
类型：碳化硅MOSFET模块
最大漏极电流：26A
漏源击穿电压：1200V
导通电阻：80mΩ（最大）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：双DIP封装
栅极电荷：35nC
短路耐受能力：600V/26A
MCC26-12I01 B 模块的核心特性包括其使用碳化硅材料带来的高性能表现。碳化硅技术相比传统硅基器件具有更高的热导率和更高的击穿电场强度，使得该模块能够在更高的温度下稳定运行，并提供更优异的热管理性能。
此外，MCC26-12I01 B 具有非常低的导通电阻，减少了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。同时，其快速开关特性使其非常适合用于高频率开关应用，如DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动和可再生能源系统等。
该模块还具备良好的短路保护能力，在过载或故障条件下可以提供更高的可靠性和安全性。其双DIP封装设计有助于简化PCB布局，并提供更好的散热性能。
在制造和测试过程中，MCC26-12I01 B 经历了严格的筛选和测试流程，以确保其符合MIL-STD-750和MIL-PRF-38534等军用标准，适用于对可靠性要求极高的航空航天、国防和工业应用。
MCC26-12I01 B 模块广泛应用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的场合。例如，在航空航天领域，该模块用于飞机电源系统和电动推进系统；在可再生能源领域，它用于太阳能逆变器和风力发电变流器；在工业自动化中，该模块用于高性能电机驱动器和不间断电源（UPS）系统。
此外，MCC26-12I01 B 还适用于高频率谐振变换器、电动汽车充电设备和储能系统。由于其出色的热性能和短路保护能力，特别适合用于高可靠性和恶劣环境下的电力电子系统。
MCC26-12I01 B 的替代型号包括MCC30-12I01 B（电流能力更高）和SiC MOSFET模块如CREE的C2M0080120D等。
