V613ME05-LF 时间：2025/8/15 22:22:10 阅读：24

V613ME05-LF 是一个由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于广泛的功率管理应用，包括电源转换、电机控制、负载开关和 DC-DC 转换器。该 MOSFET 采用先进的硅技术制造，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。此外，该器件的封装设计便于散热，能够有效降低工作温度，从而提高系统可靠性和效率。V613ME05-LF 符合 RoHS 标准，适用于对环保要求较高的电子产品。

参数

类型：功率MOSFET
　　沟道类型：N-Channel
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：180A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8双侧散热
　　安装类型：表面贴装

特性

V613ME05-LF MOSFET 具备多项显著特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高能效，尤其适用于高电流应用场景。其次，该器件具有高电流承载能力，在连续漏极电流方面表现优异，达到180A，确保在大功率负载下仍能稳定运行。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽，支持常见的逻辑电平驱动，适用于多种控制电路。其 PowerPAK SO-8 封装采用双侧散热设计，有效提升热传导效率，降低热阻，从而延长器件寿命。该器件的雪崩能量等级高，具备良好的抗短路和过载能力。同时，V613ME05-LF 的可靠性高，可在高温环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等苛刻环境。最后，该器件的封装无铅且符合 RoHS 标准，符合当前电子产品的环保要求。

应用

V613ME05-LF MOSFET 广泛应用于多个领域。它常见于电源管理系统，例如用于服务器、台式机和笔记本电脑的 DC-DC 转换器。此外，该器件适用于电机驱动器和负载开关，用于工业自动化设备和机器人系统。在汽车电子领域，V613ME05-LF 可用于电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器。它还适用于功率放大器、电源分配系统以及高电流 LED 驱动器。由于其高可靠性和优异的热性能，该 MOSFET 也适合用于需要长时间高负载运行的设备。