时间：2025/8/30 19:12:41
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TV30C100JB-G是一款由Toshiba（东芝）公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高可靠性。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制和工业自动化设备中。TV30C100JB-G具有良好的热稳定性和抗过载能力，适用于需要高效率和高稳定性的场合。
类型：功率MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：100V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为32mΩ（在VGS=10V时）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5V至3.0V（在ID=250μA时）
最大功耗（PD）：80W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220AB
技术：沟槽式MOSFET
TV30C100JB-G采用了先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。其低RDS(on)值确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，这使得该器件非常适合用于高功率密度设计。该MOSFET具有优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作，并且具备良好的抗过载和短路能力。此外，其封装设计有助于提高散热效率，延长器件寿命。该器件还具备快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。由于其高稳定性和可靠性，TV30C100JB-G广泛用于工业和汽车电子系统中。
TV30C100JB-G的栅极驱动设计兼容常见的MOSFET驱动电路，简化了设计流程。该器件的高耐压能力和低导通压降特性使其在电源转换系统中表现优异，适用于需要高可靠性和高效率的应用场景。
TV30C100JB-G广泛应用于各类高功率电子设备中，包括电源供应器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统和工业自动化控制设备。该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器。由于其优异的热性能和可靠性，TV30C100JB-G常用于需要长时间连续工作的工业控制系统和高效率电源管理模块。
SiHF30N100DD-GE3, STP30NF10, FDPF30N100AS
