时间：2025/8/9 0:33:17
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2SK2762-01L 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率、高频开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻和高耐压能力，适合用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制和负载开关等场景。其封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在紧凑型电子设备中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：10V
连续漏极电流（ID）：100mA
脉冲漏极电流（IDM）：400mA
导通电阻（RDS(on)）：约2.8Ω @ VGS=4.5V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-23
2SK2762-01L MOSFET具备多项优良特性，使其在低功耗和高可靠性设计中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围适中，通常在4.5V至10V之间，能够兼容常见的逻辑电平驱动电路。此外，其较高的耐压能力（VDS为30V）使其适用于多种低压功率转换应用。由于采用SOT-23封装，该MOSFET具有良好的热性能和机械稳定性，同时具备较小的寄生电容，有利于实现高频开关操作。器件内部结构设计优化了电流分布，提高了稳定性和抗过载能力。
另一个关键特性是其较高的可靠性，适用于工业和消费类电子产品。在高温环境下，2SK2762-01L依然能够保持良好的性能，其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适合在各种恶劣环境下运行。此外，该器件的封装符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保材料的要求。
2SK2762-01L MOSFET广泛应用于多个电子领域，尤其是在需要高效、小型化功率开关的场合。常见应用包括便携式设备中的电源管理电路、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及各类负载开关控制。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中，该器件可用于控制不同模块的电源供应，提高能效并延长电池寿命。在工业自动化设备中，它可用于控制继电器、传感器和小型执行器的开关操作。此外，在LED照明系统中，2SK2762-01L也可用于调节电流和控制亮度。由于其优异的高频响应特性，该MOSFET也适用于高频开关电源和低功率逆变器的设计。
2SK2760-01L, 2SK2761-01L, 2N7002, BSS138
