型号：BSX51
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：PG-SOT323 (SOT-346)
　　漏源电压V_DS：100 V
　　栅源电压V_GS：±20 V
　　连续漏极电流I_D：350 mA（@25°C）
　　脉冲漏极电流I_DM：1.4 A
　　导通电阻R_DS(on)：3.2 Ω（@V_GS=10V）
　　导通电阻R_DS(on)：3.8 Ω（@V_GS=4.5V）
　　栅极阈值电压V_GS(th)：1.0 V ~ 2.2 V
　　输入电容C_iss：17 pF（@V_DS=50V）
　　输出电容C_oss：6.5 pF（@V_DS=50V）
　　反向恢复时间t_rr：未指定（体二极管）
　　最大功耗P_tot：350 mW
　　工作结温范围T_j：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围T_stg：-55°C 至 +150°C

BSX51采用英飞凌成熟的Trenchstop?沟槽栅技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性的结合，使其在低功率应用场景中表现出卓越的能效水平。其典型的R_DS(on)值在V_GS=10V时仅为3.2Ω，在V_GS=4.5V时为3.8Ω，表明即使在较低的驱动电压下也能保持良好的导通性能，这使得它非常适合用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的场合，无需额外的电平转换或栅极驱动芯片，从而降低系统复杂度和成本。该器件的栅极电荷Q_g非常低，典型值仅为5nC左右，有助于减少开关过程中的驱动损耗，并支持更高的工作频率，提升电源系统的动态响应能力。同时，其输入电容和输出电容分别仅为17pF和6.5pF，进一步降低了高频下的开关损耗，提高了整体转换效率。
　　BSX51的热设计也十分出色，尽管采用的是小型SOT-323封装，但通过优化内部结构和材料选择，确保了良好的散热性能。在自由空气环境中，其最大允许功耗可达350mW，足以满足大多数中低电流开关任务的需求。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，具备出色的环境适应性和长期运行稳定性，适用于工业级和汽车级应用环境。此外，BSX51内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，虽然未明确标注t_rr参数，但在轻载条件下仍可有效处理感性负载产生的反向电流，避免电压尖峰对系统的损害。
　　安全性方面，BSX51具备高达±20V的栅源电压耐受能力，增强了抗静电放电（ESD）和误操作风险的能力。其制造过程符合AEC-Q101汽车电子认证标准，确保了在严苛条件下的可靠性和一致性。此外，该器件无铅且符合RoHS环保要求，支持绿色生产流程。综合来看，BSX51凭借其高集成度、低功耗、小尺寸和高可靠性，成为便携式设备、智能传感器、LED驱动模块及小型DC-DC变换器中的优选功率开关元件。

BSX51广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。典型用途包括低压直流-直流转换器中的同步整流或主开关元件，尤其适用于升压（Boost）、降压（Buck）和反激（Flyback）拓扑结构的小功率电源模块。在电池供电设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，BSX51常被用作负载开关或电源路径管理单元，实现对不同功能模块的上电/断电控制，以延长续航时间。此外，它也适用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为低端开关使用，提供快速响应和低功耗控制。
　　在工业自动化领域，BSX51可用于PLC输入/输出模块中的信号切换、继电器替代方案以及传感器供电控制。由于其具备良好的开关速度和热稳定性，也可用于LED照明驱动电路中作为恒流调节开关，实现精确的亮度控制。通信设备中的隔离电源、热插拔控制器和接口保护电路同样可以受益于BSX51的小封装和高可靠性特点。此外，该器件还适用于各种消费类电子产品中的电源管理单元，例如路由器、机顶盒、智能家居控制器等，用于实现多路电源域的独立控制。
　　得益于其符合AEC-Q101标准的品质，BSX51也可用于汽车电子系统中的非主驱类应用，如车载信息娱乐系统、车内照明控制、电动门窗驱动辅助电路等。总之，凡是在空间受限、效率要求高、开关频率较高的应用场景中，BSX51都能发挥其优势，帮助工程师实现更紧凑、更节能的设计目标。

BSS138
　　2N7002
　　FDS6670A
　　ZXMN2010F