时间：2025/6/17 10:18:29
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SPB80N04S2-04 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 SuperSO8 封装形式。这款器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合应用于各种高效能电源管理场景中。其额定电压为 40V，能够满足多种工业及消费类电子应用需求。
该芯片基于先进的半导体制造工艺设计，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。此外，它具备良好的热性能和可靠性，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
最大漏源电压(VDS)：40V
连续漏极电流(ID)：80A
导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电荷(Qg)：7nC
输入电容(Ciss)：2260pF
输出电容(Coss)：100pF
反向恢复时间(trr)：19ns
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：SuperSO8
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)) 提升了整体效率，降低了功率损耗。
2. 高速开关性能确保在高频应用中的卓越表现。
3. 具备强大的电流处理能力，支持高达 80A 的连续漏极电流。
4. 良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保证正常工作。
5. 小型化的 SuperSO8 封装有助于节省 PCB 空间，便于系统集成。
6. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C) 让其适应多种极端环境条件。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 各种负载开关和保护电路中的关键组件。
3. 电机驱动器和逆变器应用中的功率级元件。
4. 电池管理系统 (BMS) 中用于充放电控制。
5. 工业自动化设备和消费类电子产品中的功率调节单元。
6. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的相关功率模块。
SPB80N04S2-08, FDP8800, IRF8405
