晶体管类型：PNP
　　最大集电极电流（Ic）：200 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：40 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　电流增益（hFE）：110 - 800（取决于工作条件）
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　封装类型：SOT-323

MBT3906DW1T3 具有出色的高频性能，适用于射频（RF）和高速开关应用。其较高的过渡频率（fT）使其能够在高频条件下保持良好的增益稳定性。该晶体管的封装形式为表面贴装（SMT），适合现代PCB制造工艺，节省空间且易于自动化装配。此外，其宽广的工作温度范围确保了在极端环境下的可靠性。晶体管的hFE值范围较宽，可根据不同的偏置条件提供灵活的设计选择，适用于各种放大和开关电路。MBT3906DW1T3 还具有较低的饱和压降，有助于提高能效并减少热损耗。
　　MBT3906DW1T3 的另一个显著特性是其良好的热稳定性和抗静电能力，使其在复杂的电子系统中具备较高的可靠性。该器件符合RoHS环保标准，适合用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等多种应用场景。其设计也允许与互补型NPN晶体管（如MBT3904）配合使用，构建对称的双极型电路，如差分放大器或推挽式输出级。

MBT3906DW1T3 通常用于射频（RF）放大器、模拟开关、振荡器、逻辑电路、电源开关控制、音频放大器以及数字电路中的驱动级。此外，它也被广泛应用于通信设备、便携式电子产品、传感器接口电路以及汽车电子系统中的信号处理模块。由于其高频性能和紧凑的封装，特别适合需要高密度布局和高频操作的现代电子设计。

MBT3906DW1G, MBT3906LT1G, 2N3906, BC807