时间：2025/6/14 19:45:16
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2SB1121S-TD-E是一种高性能的双极型晶体管（BJT），主要应用于高频和高增益电路中。该型号属于东芝（Toshiba）半导体公司的产品线，设计用于射频（RF）和无线通信领域。其出色的频率特性和低噪声性能使其成为许多现代电子设备中的关键元件。
集电极-发射极电压：30V
集电极电流：150mA
直流电流增益（hFE）：100-400
特征频率（fT）：1800MHz
最大耗散功率：175mW
结电容：0.2pF
噪声系数：1dB
工作温度范围：-55℃至+150℃
2SB1121S-TD-E具有高增益、低噪声以及优异的频率响应能力。
1. 高频率特性：其特征频率高达1800MHz，适用于高频放大器和混频器应用。
2. 稳定性：即使在高频条件下，该晶体管也能保持良好的稳定性。
3. 低噪声：仅1dB的噪声系数确保了信号的清晰度和质量。
4. 温度适应性：从-55℃到+150℃的工作温度范围，使它能够在极端环境下可靠运行。
5. 小封装：采用紧凑的表面贴装形式，适合现代小型化设计需求。
该晶体管广泛应用于以下领域：
1. 射频和微波通信设备中的低噪声放大器（LNA）。
2. 手机和其他无线通信终端的前端模块。
3. 卫星接收器和全球定位系统（GPS）设备。
4. 测试与测量仪器中的高频信号处理部分。
5. 工业控制及自动化系统的高频信号传输环节。
2SB1120, 2SC3358
