型号：DO3308P-223
　　电容值：22nF (0.022μF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0805 (英制) / 2012 (公制)
　　尺寸（长×宽×高）：2.0mm × 1.25mm × 1.25mm（典型值）
　　介质材料：陶瓷（钡钛酸盐基）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡外电极（Ni/Sn）
　　符合标准：RoHS，无铅
　　电容稳定性：在温度、电压和时间变化下保持良好稳定性
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C·V ≥ 100MΩ·μF（取较大者）
　　耐久性：在额定电压和最高工作温度下连续工作1000小时后，电容值变化不超过初始值的±15%，且tanδ不超过初始值的1.5倍

DO3308P-223所采用的X7R介电材料是一种稳定的铁电陶瓷配方，主要成分为掺杂改性的钛酸钡（BaTiO3），具备优异的温度稳定性和非线性电场响应平衡。在-55°C到+125°C的工作温度区间内，其电容值的变化幅度被严格控制在±15%以内，远优于Z5U或Y5V等低稳定性介质材料，因此特别适用于需要长期稳定运行且环境温度波动较大的应用场合。这种材料结构通过多层共烧工艺形成多个交错的陶瓷-金属电极层，显著提升了单位体积内的有效电容密度，同时降低了寄生参数的影响。该器件的0805封装形式是目前行业中使用最广泛的SMD尺寸之一，既保证了足够的机械强度，又兼顾了高密度PCB布线的需求。其内部电极为薄层镍阻挡层加外部纯锡覆盖的设计，不仅确保了良好的可焊性，还能有效防止银迁移现象的发生，从而增强长期使用的可靠性。DO3308P-223在直流偏压下的电容衰减表现也较为理想，在接近额定电压时仍能维持超过60%的标称电容值，这使其在电源轨滤波和动态负载调节场景中表现出色。此外，得益于先进的制造工艺，该MLCC具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），可在数十MHz频率范围内保持高效的去耦能力，适用于高速数字电路中的局部能量存储与瞬态电流补偿。产品的批次一致性高，老化率约为每十年下降2.5%，表明其长期稳定性良好。所有这些特性共同使得DO3308P-223成为现代电子设计中不可或缺的基础被动元件之一。
　　

DO3308P-223广泛应用于多种电子系统中，尤其适合作为集成电路（IC）电源引脚的去耦电容，用于滤除高频噪声并稳定供电电压。在微处理器、FPGA、ASIC和其他高速逻辑器件的电源管理单元中，该电容器通常并联于VCC与GND之间，快速响应瞬态电流需求，降低电源阻抗，防止因电压波动导致的误操作或信号失真。此外，它也可用作模拟前端电路中的耦合与隔直电容，在音频放大器、传感器信号调理模块及数据采集系统中实现交流信号传输的同时阻断直流偏置。在开关电源（SMPS）设计中，DO3308P-223可用于输入/输出滤波网络，协助平滑纹波电压并抑制电磁干扰（EMI）。由于其具备良好的温度稳定性和较高的额定电压，该器件同样适用于工业级控制器、汽车电子模块（如ECU、BCM）、网络通信设备（路由器、交换机）以及医疗仪器等对可靠性要求较高的领域。在射频（RF）电路中，虽然其并非专为超高频优化，但在中低频段仍可用于偏置电路的旁路处理或阻抗匹配网络中的固定电容配置。另外，得益于其小型化封装和自动化贴装兼容性，DO3308P-223非常适合大规模量产的消费类电子产品，例如智能手机、平板电脑、智能家居设备和可穿戴装置。在电路板空间受限但需维持一定电容值的应用中，该型号提供了性能与尺寸之间的良好折衷方案，是工程师在进行通用滤波与储能设计时的常用选择。