时间：2025/12/26 17:12:00
阅读：8
TE28F160C3BD70是一款由Intel（现归属于SK hynix）推出的16兆位（Mbit）的NOR闪存芯片，属于Intel StrataFlash嵌入式内存系列中的第三代产品。该器件采用先进的MirrorBit技术，能够在单个存储单元中存储两个比特的数据，从而在不增加芯片物理尺寸的情况下实现更高的存储密度。这款芯片广泛应用于需要可靠、非易失性存储的嵌入式系统中，如网络设备、工业控制系统、打印机、医疗设备和通信基础设施等。TE28F160C3BD70支持多种电压操作，具备高性能读取能力，并集成了多项增强数据完整性和系统可靠性的功能。其封装形式为56引脚TSOP（Thin Small Outline Package），便于在空间受限的应用中进行布局和焊接。该器件符合工业级温度范围要求，可在-40°C至+85°C的环境中稳定运行，适用于严苛的工作条件。此外，TE28F160C3BD70支持标准的JEDEC接口协议，兼容现有的微处理器和控制器，简化了系统设计与升级过程。由于其高可靠性、较长的数据保持时间和优秀的擦写耐久性，该芯片在长期部署且不易维护的设备中具有显著优势。
制造商：Intel
系列：StrataFlash
型号：TE28F160C3BD70
存储容量：16 Mbit（2 MB）
组织结构：2M x 8 / 1M x 16
工艺技术：MirrorBit
工作电压：Vcc = 2.7V 至 3.6V，Vpp = 可选编程电压
访问时间：70 ns
封装类型：56-TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行（x8/x16）
写入/擦除耐久性：典型值为10万次
数据保持时间：典型值10年
编程方式：支持页编程和字编程
擦除方式：扇区擦除、块擦除、整片擦除
支持命令集：Common Flash Interface (CFI) 兼容
安全性功能：硬件写保护、软件写保护、锁定寄存器
TE28F160C3BD70采用了Intel独有的MirrorBit技术，这项创新的存储架构通过在氮化物层中存储电荷的方式，在每个物理存储单元内实现两个独立的比特存储，分别称为‘左位’和‘右位’，从而将存储密度提高了一倍，同时维持了CMOS工艺的可制造性和可靠性。这种技术不仅提升了单位面积的存储效率，还降低了每比特的成本，使得大容量NOR闪存在成本敏感型应用中更具竞争力。该芯片支持灵活的电压操作范围（2.7V至3.6V），使其能够兼容多种电源系统，包括使用电池供电或低功耗设计的设备。其70纳秒的快速访问时间确保了高效的代码执行能力，特别适合用于XIP（eXecute In Place）应用场景，即直接从闪存中运行程序代码而无需加载到RAM，这在嵌入式实时系统中至关重要。
为了提升系统的稳定性和数据完整性，TE28F160C3BD70内置了先进的错误管理机制，包括软件写保护、硬件写保护引脚以及可编程的扇区锁定功能，防止意外写入或擦除操作。此外，它完全兼容Common Flash Interface（CFI）标准，允许主机系统通过查询获取芯片的具体参数信息，如电压要求、时序参数、结构配置等，从而实现自动配置和跨厂商兼容性，极大地方便了系统集成和固件开发。该器件支持多种擦除模式，包括按扇区、按块或整片擦除，满足不同层次的数据更新需求。其高达10万次的擦写寿命和10年的数据保持能力，确保了在长期运行环境下的可靠性和稳定性。同时，56-TSOP封装提供了良好的热性能和机械稳定性，适合自动化贴装工艺，广泛应用于工业、电信和消费类电子产品中。
TE28F160C3BD70主要用于需要高可靠性、快速读取和长期数据保存的嵌入式系统中。典型应用包括网络路由器和交换机中的固件存储，用于存放启动代码（Boot Code）、操作系统镜像和配置文件，支持快速启动和远程固件升级。在工业控制领域，该芯片被用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程终端单元（RTU），以存储控制逻辑、校准数据和历史记录。通信基站和传输设备也常采用此类NOR闪存来保存DSP代码和射频参数。此外，在打印机、多功能办公设备中，TE28F160C3BD70可用于存储打印引擎控制程序和字体库。医疗设备如监护仪、便携式诊断仪器等利用其宽温特性和高可靠性进行关键数据和软件的存储。汽车电子系统中的仪表盘模块、车载信息娱乐系统（IVI）早期版本也曾使用类似规格的NOR闪存。由于其支持XIP功能，非常适合对启动时间和运行响应速度有严格要求的应用场景。同时，该芯片的并行接口提供了较高的数据吞吐率，适用于需要频繁读取大量代码或静态数据的场合。随着物联网设备的发展，一些高端嵌入式网关和边缘计算节点也会选用此类器件作为主程序存储介质。
S29GL128P_70_
