类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值0.15Ω（典型值0.12Ω）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-262

FQP30N60的主要特性之一是其出色的导通性能。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在600V高电压下仍能保持稳定工作，适合用于高耐压需求的电路中。
　　此外，FQP30N60具备较高的连续漏极电流能力（30A），使其能够胜任大功率负载的驱动任务。其栅极阈值电压较低（2V~4V），确保在标准逻辑电平下即可实现有效驱动，提高设计灵活性。
　　在封装方面，TO-262封装不仅提供了良好的散热性能，还能有效减小PCB占用空间，有助于实现紧凑的功率电路设计。同时，该器件具有良好的热稳定性和过热保护能力，适用于长时间高负载工作的环境。
　　可靠性方面，FQP30N60具备较强的抗冲击和抗疲劳能力，能够在高温、高湿和振动等恶劣环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、消费电子等多种应用场景。

FQP30N60广泛应用于多种功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于AC-DC电源适配器、DC-DC转换器以及开关电源（SMPS）中，作为主开关器件以提高转换效率和功率密度。
　　在电机控制和驱动电路中，FQP30N60可用于直流电机、步进电机和无刷电机的驱动模块，实现高效、稳定的功率输出控制。
　　在照明系统方面，该MOSFET适用于LED驱动电源和HID（高强度放电）灯的控制电路，帮助实现节能和稳定照明效果。
　　此外，FQP30N60还广泛应用于逆变器、不间断电源（UPS）、光伏逆变器和工业自动化控制系统中，作为关键的功率开关元件。

IRFPG50, FQA30N60, FDPF30N60