IR2C30 时间：2025/8/28 2:35:37 阅读：11

IR2C30 是由 Infineon（英飞凌）推出的一款高集成度的功率 MOSFET 驱动器芯片，主要用于半桥（half-bridge）结构的功率转换应用，例如电源转换器、逆变器、电机控制和 LED 照明系统等。该芯片集成了高边（high-side）和低边（low-side）驱动器，能够高效地驱动 N 沟道 MOSFET，适用于高频开关环境。

参数

工作电压：10V 至 20V
　　输出电流（峰值）：±4A（典型值）
　　传播延迟：17ns（典型值）
　　上升/下降时间：5ns/5ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOIC-16

特性

IR2C30 具备出色的驱动能力和热稳定性，能够在高频率下保持稳定的性能。其内部集成的自举二极管减少了外围元件的需求，提高了设计的简洁性和可靠性。芯片具备欠压保护（UVLO）功能，在电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止 MOSFET 工作在非安全状态。此外，IR2C30 还具有交叉传导保护机制，防止上下桥臂同时导通，从而避免短路损坏。该芯片还支持独立的高边和低边控制，适用于各种拓扑结构。
　　在设计上，IR2C30 提供了宽输入电压范围（10V 至 20V），适用于多种功率应用场景。其低静态电流特性有助于提高系统效率，减少发热。此外，IR2C30 的封装形式为 SOIC-16，具有良好的散热性能，适用于紧凑型 PCB 设计。

应用

IR2C30 广泛应用于多种功率电子系统中，例如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、电机驱动器、UPS（不间断电源）、LED 驱动器以及太阳能逆变器等。由于其高驱动能力和集成度，IR2C30 特别适合用于需要高频开关和高效能转换的工业级和汽车级应用。在汽车电子领域，IR2C30 可用于车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）中的功率开关控制模块。