类型：功率MOSFET
　　极性：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为6.5mΩ
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：PG-TO247-3

ZMM100 功率MOSFET的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高整体系统的效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了更高的电流密度和更低的开关损耗，使其适用于高频开关应用。此外，ZMM100具有较高的热稳定性，能够在高负载下保持较低的温度上升，从而延长器件的使用寿命。
　　ZMM100 还具有较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，这对于需要高可靠性的工业和汽车应用尤为重要。该器件的封装设计（PG-TO247-3）有助于提高散热效率，并且兼容常见的功率封装安装方式，方便用户进行电路设计和散热管理。
　　另外，ZMM100 支持快速开关操作，能够减少开关过程中的能量损耗，从而进一步提升系统的效率。其栅极驱动特性也经过优化，确保在各种驱动条件下都能保持稳定的工作状态。此外，ZMM100还具备良好的抗静电能力（ESD），能够在一定程度上抵御静电放电带来的潜在损害。

ZMM100 主要应用于高功率密度的电子系统中，如直流-直流转换器（DC-DC converters）、电动车辆的电源管理系统、逆变器、马达驱动器以及工业自动化设备中的功率开关电路。由于其高效率和高可靠性，ZMM100也非常适合用于服务器电源、电信设备电源以及太阳能逆变器等高要求的应用场景。
　　在电动车辆领域，ZMM100可用于电池管理系统中的功率开关，确保电池能量的高效传输和管理。在工业控制中，该器件可用于高精度的马达驱动系统，提供快速响应和稳定输出。此外，ZMM100还可用于不间断电源（UPS）、焊接设备和高频电源等需要高功率处理能力的设备中。
　　由于其优异的热性能和高电流能力，ZMM100也适用于需要高效率和高可靠性的消费类电子产品，例如高端电源适配器和大功率LED照明系统。总之，ZMM100是一款多功能的功率MOSFET器件，广泛适用于各类高功率应用。

IPB100N10N3, IPP100N10N3, IRFP4468