时间：2025/12/28 14:54:10
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MBRD5U200D-RTF/P 是由 ON Semiconductor 生产的一款肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier），采用双共阴极（Dual Common Cathode）结构，适用于高效率、高频整流应用。该器件采用紧凑的 TO-277 封装（也称为 DPAK 变种），具有良好的热性能和节省空间的设计，适合用于开关电源、DC-DC 转换器和电池充电器等电路中。
最大重复峰值反向电压：200V
最大平均整流电流：5A
峰值浪涌电流：100A
正向压降：0.53V @ 5A
反向漏电流：0.1mA @ 25°C
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
存储温度范围：-65°C ~ +175°C
MBRD5U200D-RTF/P 具有低正向压降（VF）特性，这使得其在高电流工作状态下能够保持较低的导通损耗，从而提升整体电源转换效率。
该器件采用双共阴极结构，适用于中心抽头整流电路，特别适合用于桥式整流器的替代方案，以减少元件数量并提高系统可靠性。
其 TO-277 封装具有良好的散热性能，适用于表面贴装（SMT）工艺，适合自动化生产流程。
此外，MBRD5U200D-RTF/P 还具备高浪涌电流承受能力（可达 100A），能够在电源启动或负载突变时提供稳定的性能，防止器件因瞬态过载而损坏。
该整流器的反向漏电流较低，在高温环境下仍能保持良好的性能，适合用于高温工作条件下的电源系统。
由于其肖特基二极管本身的快速恢复特性（无反向恢复时间），它特别适用于高频整流电路，能够有效减少开关损耗，提高系统效率。
MBRD5U200D-RTF/P 广泛应用于各种电源系统，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电池充电器、不间断电源（UPS）、电机驱动器和电源适配器等。
在通信设备和服务器电源中，该器件常用于次级整流电路，以实现高效率的能量转换。
在太阳能逆变器和电动车充电系统中，由于其高浪涌电流能力和低正向压降，该器件也得到了广泛应用。
此外，该器件也适用于工业控制设备、LED 照明驱动电源和消费类电子产品中的电源模块设计。
由于其优异的高频响应和低损耗特性，MBRD5U200D-RTF/P 也常被用于高频开关电源中的整流环节，以提高系统的整体效率和稳定性。
MBRD5U200CT-RTF/P, MBRS5U200D-RTF/P, MBRS5U200CT-RTF/P
