FWF08002-S04B13W5M是一款由富士通(Fujitsu)推出的高性能、低功耗的非易失性FRAM(铁电随机存取存储器)模块,专为工业自动化、智能仪表、医疗设备和嵌入式系统等需要高可靠性数据存储的应用而设计。该器件结合了传统RAM的高速读写能力与ROM的非易失性特性,能够在断电后依然保持数据完整性。其封装形式为表面贴装型,适用于紧凑型PCB布局,并具备良好的抗辐射和抗干扰能力,适合在严苛环境中长期稳定运行。该型号中的‘S04B13W5M’代表特定的封装规格、电压范围、通信接口及存储容量配置,确保用户在替换或升级时能够精确匹配系统需求。FRAM技术相较于传统的EEPROM或Flash存储器,具有几乎无限次的读写耐久性(高达10^14次),且写入速度更快,无需延迟等待,极大地提升了系统的实时响应能力。此外,该芯片支持宽温度范围工作,增强了其在极端环境下的适用性。
制造商:Fujitsu
系列:FRAM
产品类型:非易失性存储器
存储容量:8 Mbit (1 M × 8)
接口类型:SPI(四线制)
电源电压:2.7V ~ 3.6V
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装类型:SOP-8
最大时钟频率:40 MHz
写入耐久性:10^14 次/字节
数据保持时间:10年(典型值)
访问时间:70 ns(读取)
待机电流:< 10 μA
工作电流:< 10 mA(读写操作)
FWF08002-S04B13W5M采用先进的铁电存储技术,其核心优势在于卓越的写入性能和超长的使用寿命。与传统EEPROM或NAND/NOR Flash不同,FRAM不依赖电荷存储机制,而是利用铁电材料的极化状态来保存数据,因此不存在擦除周期限制和写入磨损问题。每个存储单元可承受高达10^14次的读写操作,远超EEPROM的10^6次和Flash的10^5次,极大延长了设备的生命周期,减少了因存储器失效导致的维护成本。此外,该芯片支持字节级写入操作,无需像Flash那样进行块擦除,显著提高了数据写入效率并降低了系统软件复杂度。
在性能方面,FWF08002-S04B13W5M支持最高40MHz的SPI时钟频率,实现接近SRAM级别的快速读写响应,读取访问时间仅为70ns,写入操作几乎无延迟。这一特性使其非常适合用于频繁记录传感器数据、事件日志或配置参数的场景,例如智能电表的数据采集、工业PLC的状态监控或医疗设备的生命体征记录。同时,由于写入过程无需高电压编程,功耗极低,典型工作电流低于10mA,待机状态下更可降至10μA以下,有助于提升便携式设备的电池续航能力。
该器件还具备出色的环境适应性,可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定运行,满足工业级应用要求。其SOP-8封装符合RoHS标准,便于自动化贴片生产,并提供良好的散热性能和机械稳定性。内部集成了上电复位电路和写保护功能,防止异常写入或数据损坏。通过SPI接口通信,兼容性强,易于与主流微控制器(如ARM Cortex-M系列、STM32、ESP32等)集成,开发门槛低。整体设计兼顾高性能、高可靠性和易用性,是替代传统非易失性存储器的理想选择。
FWF08002-S04B13W5M广泛应用于对数据写入频率高、可靠性要求严苛的电子系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统,如PLC(可编程逻辑控制器)、DCS(分布式控制系统)中的运行参数与故障日志存储;智能仪表领域,如智能水表、电表、气表中用于记录累计用量和操作历史;医疗设备如监护仪、血糖仪、便携式超声设备中保存患者数据和设备校准信息;汽车电子中的行车记录、ECU配置备份;以及POS终端、打印机、条码扫描器等商用设备中的交易记录和设置存储。此外,在物联网节点和边缘计算设备中,该芯片可用于缓存传感器采集的高频数据,在网络中断时保证数据不丢失,并在网络恢复后上传,提升系统整体的鲁棒性。由于其非易失性和快速写入特性,也常被用于替代电池供电的SRAM方案,消除电池更换和泄漏风险,实现绿色环保设计。
MB85RS1MT
CY15B104QN
FM25V05-G
SST25VF080B