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MBR3520 发布时间 时间:2025/9/3 10:35:19 查看 阅读:10

MBR3520是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的35A、200V的MOSFET模块,专为高效率功率转换应用设计。该模块采用双MOSFET结构,集成了两个N沟道增强型MOSFET,适用于高功率密度设计的电源系统,如DC-DC转换器、电机驱动器和不间断电源(UPS)等。MBR3520具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力以及良好的热管理特性,能够在高温环境下稳定运行。

参数

电流(Id):35A
  电压(Vds):200V
  导通电阻(Rds(on)):最大值约28mΩ(典型值可能更低)
  封装类型:TO-247或类似大功率封装
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  栅极电荷(Qg):根据具体型号不同可能有所变化
  漏源击穿电压(V(br)DSS):200V
  连续漏极电流(Id):35A

特性

MBR3520的主要特性之一是其低导通电阻,这使得在高电流条件下能够显著降低导通损耗,提高系统效率。该模块的高耐压能力(200V)使其能够应对各种高电压应用中的电压应力问题,确保系统稳定性。
  其次,MBR3520采用高性能封装技术,具有良好的散热性能,能够在高功率运行时有效降低结温,延长器件寿命。此外,其紧凑的封装设计也有助于节省PCB空间,适用于对体积敏感的高功率密度设计。
  该模块还具备优异的开关性能,快速的开关速度可以降低开关损耗,提高整体系统效率。这对于高频开关电源(如SMPS)尤为重要。
  MBR3520的设计还考虑了可靠性和耐用性,其内部结构经过优化,以承受高温和高电流应力,确保在严苛的工作条件下依然稳定运行。
  最后,MBR3520支持并联使用,适合需要更大输出电流的应用场景,例如电机控制、高功率电池充电器等。这种灵活性使得工程师可以根据具体需求进行电路设计和优化。

应用

MBR3520广泛应用于多种高功率电子系统中,包括DC-DC转换器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、工业电源、电池管理系统(BMS)以及太阳能逆变器等。在DC-DC转换器中,MBR3520可以作为主开关元件,实现高效的电压转换。其低导通电阻和高开关速度使其在高频率工作条件下仍能保持较高的转换效率。
  在电机驱动应用中,MBR3520可用于H桥电路中,驱动大功率直流电机或步进电机。其高电流承载能力和良好的热管理性能确保了电机驱动系统在长时间运行时的稳定性和可靠性。
  在UPS系统中,MBR3520可用于逆变器部分,将电池直流电压转换为交流电压,为关键设备提供稳定电源。此外,其高耐压能力也使其适用于高输入电压的光伏逆变器设计,能够有效提升系统的整体能效。
  由于MBR3520具备高可靠性,它也常用于工业自动化设备、电动车辆电源系统以及高功率LED照明驱动器等应用中。

替代型号

MBR4020, FDP332N20, IRFP4668

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MBR3520参数

  • 制造商GeneSiC Semiconductor
  • 产品Schottky Diodes
  • 峰值反向电压20 V
  • 正向连续电流35 A
  • 最大浪涌电流600 A
  • 正向电压下降0.7 V
  • 最大反向漏泄电流1 uA
  • 工作温度范围- 55 C to + 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体DO-4
  • 工厂包装数量5