IXTM21N50 时间：2025/7/25 9:03:43 阅读：5

IXTM21N50 是一款由 IXYS 公司制造的高电压、高电流 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。IXTM21N50 特别适用于工业电源、电机控制、逆变器、DC-DC 转换器和各种开关电源系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：21 A
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　导通电阻（Rds(on)）：0.25 Ω（最大）
　　功耗（Ptot）：200 W

特性

IXTM21N50 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压额定值为 500 V，使其适用于高压电源应用。该器件的导通电阻较低，最大值为 0.25 Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 支持高达 21 A 的连续漏极电流，能够满足高功率负载的需求。
　　IXTM21N50 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽，支持 ±30 V，增强了与各种驱动电路的兼容性。该器件的热阻较低，有助于在高负载条件下保持良好的热稳定性。
　　另一个重要特性是其卓越的雪崩能量耐受能力，这使得 IXTM21N50 在发生过压或短路故障时仍能保持稳定运行，从而提高系统的可靠性和耐用性。此外，该 MOSFET 具有快速开关能力，适合用于高频开关电路，以减少开关损耗并提高整体效率。
　　该器件还具备良好的抗干扰能力，适用于电磁干扰（EMI）较为复杂的工业环境。其内部结构优化设计，减少了寄生电容，提高了高频响应特性。

应用

IXTM21N50 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器和不间断电源（UPS）。在工业自动化系统中，该 MOSFET 可用于控制高功率负载，如电动机、加热元件和照明系统。此外，IXTM21N50 还可用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
　　在电源管理领域，IXTM21N50 常用于构建高效能的同步整流器，以提高 AC-DC 和 DC-DC 转换器的效率。其高耐压和低导通电阻特性也使其成为高压 LED 驱动器和电池充电器的理想选择。
　　该器件还可用于焊接设备、等离子切割机和感应加热设备等高功率工业设备中，提供稳定的功率开关功能。