时间：2025/8/15 8:18:44
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RF4180PCK-410 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）制造的射频（RF）功率晶体管，属于 GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）类别。这款器件设计用于高频、高功率的射频应用，例如无线基础设施、基站、雷达和测试设备。RF4180PCK-410 提供了卓越的功率密度、高效率和热稳定性，适用于在高频率下需要高输出功率的场景。其工作频率范围覆盖到4GHz以上，适用于多种射频放大器应用。
类型：GaN HEMT
封装类型：表面贴装（Surface Mount）
频率范围：2GHz - 4GHz
输出功率：80W（典型值）
增益：12dB（典型值）
漏极电流（Id）：500mA（典型值）
漏极-源极电压（Vds）：65V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装尺寸：5mm x 7mm
输入/输出阻抗：50Ω（标称）
RF4180PCK-410 是一款高性能 GaN 功率晶体管，采用先进的 GaN-on-SiC（氮化镓在碳化硅上）技术，提供了出色的热管理和功率处理能力。该器件具有高线性度和高效率，非常适合用于基站和无线通信设备中的功率放大器。其高频性能使其在2GHz到4GHz范围内具有广泛的应用潜力，包括W-CDMA、LTE、WiMAX等现代无线通信标准。
此外，RF4180PCK-410 具有高耐用性和可靠性，能够承受高电压驻波比（VSWR）条件下的工作环境，确保在极端条件下的稳定性。该器件的封装设计优化了热传导性能，有助于提高器件在高功率状态下的长期可靠性。
该晶体管还具备良好的输入/输出匹配特性，降低了外部匹配电路的复杂性，并提高了整体系统设计的灵活性。其50Ω标称阻抗使其能够直接集成到标准射频系统中，减少额外的匹配网络需求，简化电路设计。
RF4180PCK-410 主要用于通信基础设施，如蜂窝基站（包括4G LTE和5G NR）、无线本地环路、点对点微波通信、雷达系统和射频测试设备。由于其高频和高功率特性，它也适用于工业和军事领域的射频功率放大器设计。
CGH40080、CGH40085、NPT1007、AMF4K0612N1S、T2C1007N
