时间：2025/4/29 17:18:01
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FQU17P06TU 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种开关电源、DC/DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用领域。
这款 MOSFET 的最大 drain-source 电压为 60V，能够满足大多数低压系统的使用需求，同时其优秀的电气性能使得它在效率和热管理方面表现出色。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：14A
导通电阻（Rds(on)）：3.8mΩ
总功耗：29W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-252
FQU17P06TU 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，有助于减少开关损耗，非常适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 支持宽温度范围操作，确保在极端环境中的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
FQU17P06TU 广泛应用于以下场景：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率转换。
2. DC/DC 转换器中的同步整流或降压/升压拓扑。
3. 电池管理和保护电路。
4. 电机控制和驱动，包括步进电机和无刷直流电机。
5. 各种负载开关和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N, FDP5500
