2SK2165 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管,常用于音频放大器、开关电源和DC-DC转换器等应用中。该器件采用高耐用性硅技术,具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力,适合在高功率密度和高可靠性要求的电子设备中使用。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压(Vds):60V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):15A(最大)
导通电阻(Rds(on)):0.033Ω(最大)
功耗(Pd):150W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220
2SK2165具有低导通电阻的特性,有助于降低导通损耗,提高系统效率。该器件的高电流承载能力和良好的热稳定性使其在高功率应用中表现出色。此外,2SK2165具有较高的耐用性和抗过载能力,能够在严苛的工作环境中保持稳定运行。
该MOSFET采用了先进的硅芯片技术,确保了快速的开关性能,减少了开关损耗。同时,其封装设计有助于良好的散热性能,使得器件在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。这种高可靠性和热管理能力使2SK2165成为音频放大器、电源转换器和其他高功率电子设备的理想选择。
2SK2165 主要应用于音频放大器、开关电源、DC-DC转换器、马达驱动器和工业控制设备。其高电流承载能力和低导通电阻特性使其非常适合用于高效率电源系统和需要良好热管理能力的电子装置中。
2SK2164, 2SK2166, IRFZ44N