时间：2025/9/12 10:54:27
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KHB5D0N50F 是一款由Korea Electronics（KEC）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等电子系统中。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，适用于中高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：5A
功耗（PD）：75W
导通电阻（RDS(on)）：≤3.0Ω
工作温度范围：-55°C～150°C
封装形式：TO-220
KHB5D0N50F MOSFET采用了先进的平面工艺技术，具备出色的电气性能和可靠性。其主要特点包括高耐压能力，使其适用于多种高压应用场景；较低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗并提高能效；良好的热稳定性确保了在高温环境下仍能稳定工作。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压情况下保持器件安全。KHB5D0N50F的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于各种电源管理模块和工业控制系统。
KHB5D0N50F的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，使其可以直接由微控制器或其他数字控制电路驱动，减少了外围电路的复杂性。此外，该器件具备快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸和整体系统的体积。其低漏电流特性也使其在待机模式下功耗更低，符合现代电子产品对节能的要求。
KHB5D0N50F主要用于各种电源管理应用，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及马达驱动控制电路。此外，该器件也可用于工业自动化设备、LED照明驱动电源、家电控制模块以及太阳能逆变器等中高功率电子系统中。由于其具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，KHB5D0N50F在高温和高压环境下仍能保持稳定运行，是众多工业和消费类电子产品的理想选择。
KHB5D0N50F的替代型号包括KSB1113Y、KSC2610Y、KSD1116Y等，这些型号在性能参数和封装形式上与KHB5D0N50F相近，可根据具体应用需求进行选型替换。
