最大重复反向电压：120V
　　最大有效值电压：85V
　　最大直流阻断电压：120V
　　平均整流电流（半波，60Hz）：20A
　　峰值浪涌电流（8.3ms单半正弦波）：200A
　　正向压降（@20A, TJ=25°C）：0.89V
　　反向漏电流（@120V, TJ=25°C）：0.5mA
　　反向漏电流（@120V, TJ=125°C）：500μA
　　工作结温范围：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　热阻结至外壳：1.5°C/W
　　热阻结至环境（典型值）：40°C/W

MBR20120CL的核心特性之一是其低正向电压降，在20A的工作电流下，典型正向压降仅为0.89V（TJ=25°C），这显著降低了导通期间的功率损耗，提高了电源转换效率。尤其在大电流输出的应用如DC-DC变换器中，这种低VF特性能够有效减少发热，降低散热设计复杂度。该器件采用肖特基势垒结构，不存在少子存储效应，因此没有反向恢复时间（trr），在高频开关条件下不会产生额外的开关损耗或噪声干扰，提升了系统的电磁兼容性。此外，MBR20120CL具有较高的浪涌电流承受能力，可耐受高达200A的瞬态浪涌电流（8.3ms单半正弦波），增强了在异常工况下的可靠性。
　　该器件的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，表明其可在极端温度环境下稳定运行，适用于汽车电子、工业电源等严苛应用场景。其TO-277封装不仅支持表面贴装工艺，还具备优良的散热性能，通过底部暴露焊盘将热量高效传导至PCB，进一步提升热管理能力。热阻结至外壳仅为1.5°C/W，说明每消耗1瓦功率时结温仅升高1.5摄氏度，相较于同类产品表现出更优的热性能。此外，该器件具有较小的寄生电容，有利于减少高频开关过程中的位移电流，避免误导通现象。所有电气参数均经过严格筛选与测试，确保批次一致性与长期可靠性。

MBR20120CL广泛应用于需要高效能、高电流密度整流功能的电力电子系统中。其典型应用场景包括但不限于：开关模式电源（SMPS）、同步整流型DC-DC降压或升压转换器、OR-ing二极管电路、反向极性保护电路以及不间断电源（UPS）系统。在服务器电源、电信整流模块和嵌入式电源系统中，该器件常用于次级侧整流环节，替代传统的快恢复二极管以提升整体效率。由于其出色的热稳定性和低VF特性，也适合用于高功率密度的便携式设备充电器和LED驱动电源中。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统的辅助电源部分，MBR20120CL同样发挥着重要作用。此外，其表面贴装封装使其非常适合自动化生产线使用，特别适合回流焊工艺，满足现代电子制造对高良率和高一致性的要求。在汽车电子应用中，虽然需考虑AEC-Q101认证情况，但其宽温工作能力和高可靠性使其成为车载DC-DC转换器潜在的候选元件。

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　　 "STPS20M120S",
　　 "SDM20H120F",
　　 "MBR20100CT",
　　 "MBR20H120CT"
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