CEU16N10 时间：2025/7/8 21:14:57 阅读：13

CEU16N10是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。其封装形式通常为TO-220，适合高电流应用场合。
　　这种MOSFET的额定电压为100V，适用于需要较高耐压能力的应用环境。由于其优异的热性能和电气性能，CEU16N10在工业控制、消费电子以及通信设备中都有广泛应用。

参数

最大漏源电压：100V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：16A
　　导通电阻（典型值）：0.08Ω
　　总功耗：115W
　　结温范围：-55℃至+175℃

特性

CEU16N10具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低传导损耗，并提升整体效率。
　　2. 快速开关速度，可实现高频操作，满足现代高效能转换器的需求。
　　3. 高雪崩能量能力，提高了器件在异常条件下的可靠性。
　　4. 良好的热稳定性，能够在较宽温度范围内保持性能稳定。
　　5. 符合RoHS标准，绿色环保设计，适合全球市场的应用需求。
　　这些特性使得CEU16N10成为许多大功率应用的理想选择，例如DC-DC转换器、逆变器和电池充电器等。

应用

CEU16N10主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件，用于高效电能转换。
　　2. 电机驱动电路，作为功率级开关使用。
　　3. 各类负载开关，用以控制不同负载的供电状态。
　　4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　5. 消费类电子产品如笔记本适配器和LED驱动器中的关键组件。
　　凭借其出色的性能指标和可靠性，CEU16N10在上述应用场景中表现出色，为工程师提供了灵活且高效的解决方案。