时间：2025/9/5 7:19:48
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GT16-2428SCF 是一款由 GaN Systems 制造的氮化镓（Gallium Nitride, GaN）功率晶体管，专为高效率、高频和高功率密度的应用设计。这款晶体管采用先进的 GaN 技术，具备优异的开关性能和导通电阻特性，适用于诸如电源转换、电动汽车充电、可再生能源系统以及工业电源等多种应用。GT16-2428SCF 采用表面贴装封装（Surface Mount Package），便于集成到现代电子系统中，同时提供良好的热管理和可靠性。
型号: GT16-2428SCF
制造商: GaN Systems
类型: GaN 功率晶体管
VDS（最大漏源电压）: 650V
VDSS（额定漏源电压）: 650V
ID（连续漏极电流）: 160A（在 25°C 下）
RDS(on)（导通电阻）: 24mΩ（最大）
封装类型: Surface Mount (SMD)
工作温度范围: -55°C 至 150°C
功耗: 180W（最大）
栅极电荷（QG）: 180nC（典型）
输入电容（CISS）: 12000pF（典型）
输出电容（COSS）: 1500pF（典型）
GT16-2428SCF 的核心优势在于其卓越的电气性能和热管理能力。采用 GaN 技术使其具备极低的导通电阻（RDS(on)）和快速的开关速度，从而显著降低传导损耗和开关损耗。这种高效率的特性使其非常适合用于高频电源转换器，如 LLC 谐振转换器、PFC（功率因数校正）电路以及 DC-DC 转换器。此外，GaN 晶体管的高击穿电压能力（650V）使其能够在高电压环境下稳定工作，而不会影响性能。
GT16-2428SCF 的封装设计优化了热传导路径，确保在高电流负载下仍能保持良好的散热性能。其表面贴装封装（SMD）形式不仅便于自动化装配，还减少了 PCB 布局的复杂性。此外，该器件的驱动要求相对较低，通常可在 5V 至 10V 的栅极驱动电压下工作，进一步简化了外围电路设计。
从可靠性角度看，GT16-2428SCF 经过严格的测试和验证，确保在高温和高湿度环境下仍能保持稳定运行。其宽工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应各种严苛的工业和汽车应用环境。
GT16-2428SCF 主要应用于需要高效能、高频率和高功率密度的电力电子系统中。典型应用包括高频电源转换器、电动汽车车载充电器（OBC）、太阳能逆变器、数据中心电源系统、工业电机驱动器以及无线充电系统等。由于其出色的开关性能和低导通损耗，该器件在这些应用中能够显著提升整体系统效率并减小功率模块的体积。
在电动汽车领域，GT16-2428SCF 可用于电池管理系统（BMS）中的 DC-DC 转换器，以实现高效的能量传输。在可再生能源系统中，它可用于光伏逆变器中的功率转换环节，提高能量转换效率。此外，该器件还适用于服务器电源和通信设备中的高效电源模块，满足高功率密度和高可靠性的需求。
GS-065-150-1-R，EPC2052，TPH3206LCQA，SiC 功率 MOSFET 如 Cree 的 C3M0065090J 可作为部分应用中的替代方案。
