时间:2025/12/26 22:41:52
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MBR1545PS是一款由ON Semiconductor生产的肖特基势垒整流二极管,采用双二极管配置,封装形式为TO-220AC。该器件专为高效率、低功耗的电源转换应用而设计,广泛应用于开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器、反向电池保护和续流二极管等场景。由于其采用了肖特基势垒技术,MBR1545PS具备较低的正向电压降(VF),从而有效降低导通损耗,提高系统整体效率。此外,该器件具有较高的峰值电流承受能力,适合用于高频整流场合。MBR1545PS的双共阴极结构使其在同步整流或双路输出电源中具有良好的适配性,同时TO-220封装提供了良好的散热性能,适用于中等功率级别的应用环境。
该器件的工作结温范围为-65°C至+175°C,表现出优异的热稳定性和可靠性。MBR1545PS符合RoHS环保标准,无铅(Pb)工艺制造,适用于现代绿色电子产品的设计需求。其快速恢复特性接近于零反向恢复电荷(Qrr),显著减少了开关过程中的能量损耗,特别适合高频工作条件下的高效能电源系统。作为一款工业级器件,MBR1545PS在通信设备、消费类电子产品、工业控制及汽车电子等领域均有广泛应用。
类型:肖特基势垒二极管
配置:双二极管,共阴极
最大重复峰值反向电压(VRRM):45V
最大直流阻断电压(VR):45V
平均整流电流(IF(AV)):15A
峰值浪涌电流(IFSM):150A
最大正向压降(VF):0.54V @ 7.5A, 125°C
最大反向漏电流(IR):0.5mA @ 45V, 125°C
工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +175°C
封装/包装:TO-220AC
安装类型:通孔
MBR1545PS的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,该技术利用金属-半导体接触形成整流效应,与传统的PN结二极管相比,显著降低了正向导通压降。在典型工作条件下,其正向压降仅为0.54V(在7.5A和125°C时),这意味着在大电流通过时产生的导通损耗远低于普通整流二极管,从而提升了电源系统的整体效率。低VF特性对于电池供电设备或对能效要求严格的电源设计尤为重要,有助于延长续航时间并减少散热需求。
该器件具备高达15A的平均整流电流能力,能够支持中等功率级别的电源转换应用。其峰值浪涌电流可达150A,表明其在瞬态负载或启动过程中具备较强的电流冲击承受能力,提高了系统的可靠性和稳定性。此外,由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件,几乎不存在少数载流子的存储效应,因此其反向恢复时间极短,反向恢复电荷(Qrr)接近于零。这一特性极大地减少了高频开关过程中的开关损耗和电磁干扰(EMI),使MBR1545PS非常适合用于高频开关电源、DC-DC变换器等需要快速响应的应用场景。
MBR1545PS采用双二极管共阴极结构,便于在双路输出或多相整流电路中使用,简化了PCB布局并减少了元件数量。其TO-220AC封装不仅具备良好的机械强度,还提供了优异的热传导性能,可通过外接散热片进一步提升散热效果,确保器件在高负载条件下稳定运行。该器件的工作结温范围宽达-65°C至+175°C,展现出卓越的热适应能力和长期工作的可靠性,适用于严苛的工业和汽车环境。此外,产品符合RoHS指令,采用无铅封装工艺,满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。
MBR1545PS广泛应用于各类需要高效整流功能的电力电子系统中。在开关模式电源(SMPS)中,它常被用作输出整流二极管,尤其是在低压大电流输出场合,如计算机电源、服务器电源和电信电源模块。其低正向压降和高电流承载能力可显著提升转换效率,减少发热问题。
在直流-直流转换器中,特别是非隔离式降压(Buck)或升压(Boost)拓扑中,MBR1545PS可用作续流二极管或整流元件,配合MOSFET实现高效的能量传递。其快速恢复特性有助于降低开关损耗,提高工作频率上限。
该器件也适用于反向电池保护电路,在输入电源极性接反时阻止电流流动,保护后级电路不受损坏。此外,在电机驱动、UPS不间断电源、太阳能充电控制器以及汽车电子系统中,MBR1545PS也能发挥出色的整流和保护作用。由于其高可靠性和宽温度范围,该器件同样适用于工业自动化设备和户外通信基站等恶劣环境下的电源管理单元。
SR3045PT
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