时间：2025/7/8 10:59:55
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SAFEF1G96AA0F00R12 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的高压 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该器件采用沟槽栅极技术，专为高效率、低功耗应用而设计，适用于工业和汽车领域。其典型应用包括电机驱动、电源转换、逆变器和开关电源等。这款 MOSFET 具有出色的 Rds(on) 特性以及较低的栅极电荷，能够有效提升系统的整体性能。
该器件支持高达 96V 的工作电压，并提供极低的导通电阻，从而在高频开关条件下实现高效的功率传输。
最大漏源电压：96V
连续漏极电流：75A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ
栅极电荷：83nC
工作温度范围：-40°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
SAFEF1G96AA0F00R12 提供了卓越的电气性能和热稳定性，使其成为高性能功率转换的理想选择。
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高效的沟槽栅极结构优化了开关性能，降低了开关损耗。
3. 内置快速恢复二极管，支持同步整流和续流功能。
4. 宽工作温度范围 (-40°C 至 +175°C)，适合极端环境下的应用。
5. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车级应用中的可靠性。
6. 封装采用标准 TO-247，便于安装和散热管理。
该 MOSFET 广泛应用于多种工业和汽车电子系统中：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动车辆 (EV) 和混合动力车辆 (HEV) 的电机控制器。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 工业自动化设备中的伺服驱动器。
5. LED 照明驱动电路。
6. 不间断电源 (UPS) 系统。
其高效率和耐用性使其成为现代高效能功率应用的核心组件。
IRFB4110,
STP90NF06,
FDPF8080
