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SMBT1516LT3 发布时间 时间:2025/9/3 12:56:29 查看 阅读:7

SMBT1516LT3是一款双极型晶体管(BJT),采用NPN结构,适用于各种高频和中功率放大应用。该器件由安森美半导体(onsemi)制造,采用SMB(Surface Mount Mini Barrier)封装,适合表面贴装技术(SMT),具有良好的热性能和电气性能。SMBT1516LT3通常用于电源开关、信号放大、逻辑电路以及射频(RF)放大电路中。

参数

晶体管类型:NPN BJT
  集电极-发射极电压(Vceo):80V
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大功耗(Ptot):200mW
  电流增益(hFE):110-800(取决于测试条件)
  过渡频率(fT):100MHz
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

SMBT1516LT3具有优异的高频响应能力,适用于100MHz以下的射频放大应用。
  其SMB封装设计提供了良好的热管理和空间利用率,适用于紧凑型电子设备。
  该晶体管的hFE范围较宽,可根据不同应用需求提供多个增益等级,提高设计灵活性。
  低饱和压降(Vce_sat)特性有助于减少功耗,提高系统效率。
  适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品和汽车电子系统。
  具备良好的稳定性和可靠性,符合RoHS环保标准。

应用

SMBT1516LT3广泛应用于射频(RF)放大器、信号开关和中频放大电路。
  在数字电路中,它常用于驱动继电器、LED和小型电机等负载。
  该器件也适用于音频放大器前级、运算放大器偏置电路和低噪声放大电路。
  此外,SMBT1516LT3还常用于电源管理电路中的开关元件,如DC-DC转换器和稳压电路。
  由于其高频特性,它也被用于无线通信模块中的射频信号放大和调制电路。

替代型号

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, 2N4401

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