容量：256Mb
　　组织结构：16M x 16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：5.4ns
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54-pin
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　时钟频率：最大可达166MHz
　　数据速率：166MHz

HY5MS5B2ALFP-HE 是一款高性能的DRAM存储器芯片，专为高速数据处理应用而设计。其主要特性包括高速存取、低功耗、宽电压范围以及良好的稳定性。该芯片采用CMOS技术，能够在较低的功耗下实现高速数据传输，适用于各种嵌入式系统、工业控制设备和通信设备。
　　该芯片的存储容量为256Mb，组织结构为16M x 16位，支持16位并行数据接口。其工作电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的兼容性和灵活性。数据访问时间仅为5.4ns，能够满足高速数据传输的需求。此外，该芯片采用TSOP封装，尺寸小、重量轻，适合在空间受限的应用中使用。
　　HY5MS5B2ALFP-HE 的时钟频率最高可达166MHz，数据传输速率同样支持166MHz，适用于高性能计算和数据存储应用。其工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），能够在恶劣的工业环境中稳定运行。

HY5MS5B2ALFP-HE 广泛应用于需要高性能存储和快速数据处理的设备中。例如，它常用于嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、图像处理设备、测试仪器以及各种需要大容量存储的电子产品中。由于其高速和低功耗的特性，该芯片也适用于便携式设备和电池供电系统。

HY5MS5B2ALFP-HE的替代型号包括：Micron的MT55L256A2B4-6A 和 ISSI 的IS42S16256B-6T。