时间：2025/12/27 15:53:40
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08ZR-8M-P是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）生产的石英晶体振荡器（XO），属于其Z系列低抖动、高性能时钟发生器产品线。该器件设计用于为通信、网络、工业和消费类应用提供高精度、稳定的时钟信号。08ZR-8M-P采用8引脚小型表面贴装封装（通常为8-SOIC或类似尺寸），便于在空间受限的PCB布局中使用。该振荡器内部集成了石英晶体和振荡电路，输出经过优化的CMOS电平信号，具有良好的信号完整性和抗干扰能力。其标称输出频率为8 MHz，适用于需要精确时基的各种数字系统，如微控制器单元（MCU）、现场可编程门阵列（FPGA）、数据转换器和接口电路等。该器件的工作电压通常为3.3V或2.5V，具体需参考官方数据手册。08ZR-8M-P具备出色的频率稳定性（一般在±25ppm或更高精度范围内），能够在宽温度范围（例如-40°C至+85°C）内保持稳定工作，适合严苛工业环境下的应用。此外，该型号注重低功耗设计，在保证性能的同时降低系统能耗，适用于对能效有要求的应用场景。
型号：08ZR-8M-P
制造商：Renesas Electronics
类型：晶体振荡器（XO）
输出频率：8 MHz
输出逻辑电平：CMOS
供电电压：3.3V ±10%（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
频率稳定性：±25ppm（包括初始精度、温度变化及老化）
启动时间：≤5ms（典型值）
上升/下降时间：≤10ns（典型值，负载为15pF）
对称性（占空比）：45% / 55%（最大偏差）
相位抖动（集成周期抖动）：典型值低于1ps（12kHz – 20MHz带宽）
封装类型：8-SOIC（SOP）
安装类型：表面贴装（SMD）
老化率：±3ppm/年（典型值）
电源电流：≤8mA（典型值，3.3V供电）
08ZR-8M-P晶体振荡器具备多项先进特性，确保其在复杂电子系统中的可靠运行。
首先，该器件采用高Q值石英晶体与内置振荡电路相结合的设计，确保了卓越的频率精度和长期稳定性。其±25ppm的总频率稳定性涵盖了温度漂移、初始容差以及年老化效应，使其非常适合那些不能容忍时钟偏差的关键应用，例如同步数字系统、精密测量设备和通信基础设施。即使在极端环境条件下，如高温或低温环境中，器件仍能维持精准的时钟输出，避免因频率偏移导致的数据错误或系统失步。
其次，08ZR-8M-P支持快速启动功能，通常在通电后5毫秒内即可达到稳定输出，满足现代系统对“即时开机”和快速响应的需求。这对于需要频繁启停或节能模式切换的应用尤为重要，比如便携式设备或待机唤醒系统。
再者，该振荡器提供标准CMOS输出电平，兼容大多数数字逻辑器件，无需额外电平转换电路，简化了系统设计并降低了整体成本。其输出驱动能力强，可在典型15pF负载下实现小于10ns的上升/下降时间，保证信号边沿清晰，减少传输延迟和信号畸变，提升系统时序裕量。
此外，器件具备良好的电磁兼容性（EMC）表现，通过优化内部结构和封装设计，有效抑制电磁辐射和对外部噪声的敏感度，有助于通过各类工业级EMI/EMC认证。同时，低电源电流消耗（典型值低于8mA）使其适用于电池供电或对热管理敏感的系统。
最后，该器件采用无铅、符合RoHS标准的8-SOIC封装，支持自动化贴片生产，提高了制造效率和可靠性。整体设计兼顾性能、功耗、尺寸和环保要求，是现代电子系统中理想的时钟源解决方案。
08ZR-8M-P广泛应用于对时钟精度和稳定性有较高要求的各类电子系统中。
在通信领域，它常用于以太网交换机、路由器、光模块和基站设备中，作为主控芯片或PHY芯片的参考时钟，确保数据传输的同步性和完整性。其低抖动特性有助于降低误码率，提高链路质量。
在工业控制方面，该振荡器被集成于PLC控制器、HMI人机界面、工业传感器和运动控制系统中，为MCU或FPGA提供稳定时基，保障实时控制任务的准确执行。
消费类电子产品如高端智能家居中枢、音频视频处理设备、打印机和扫描仪也采用此类器件，以提升系统响应速度和多任务处理能力。
此外，在测试与测量仪器（如示波器、频谱分析仪）中，08ZR-8M-P作为本地时钟源，直接影响采样精度和时间分辨率，因此其高稳定性至关重要。
医疗设备中的一些便携式监护仪或诊断设备也会选用该型号，以满足长时间运行下的可靠性和安全性需求。总体而言，任何需要精确、低抖动、稳定CMOS时钟信号的嵌入式系统均可考虑使用08ZR-8M-P作为核心时钟元件。
SiT8008BI-71-33E-8.000000Y
EPSON TG-8001CG 8.0MHz
TXC Corporation 9B-8.000MAAJ-T
