STGD19N40LZ 时间：2025/7/23 3:13:28 阅读：9

STGD19N40LZ 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的技术，具有高效率、低导通电阻和优异的热性能，适用于各种需要高功率密度和高可靠性的应用。STGD19N40LZ 封装为TO-220，广泛用于电源转换器、电机控制、负载开关和工业自动化等领域。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：400V
　　连续漏极电流（Id）：19A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.23Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220
　　漏极-源极击穿电压（BVdss）：400V

特性

STGD19N40LZ 功率MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的高击穿电压（400V）使其适用于多种高电压应用场景。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和较强的过载能力，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
　　该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与各种控制器配合使用。其TO-220封装形式提供了良好的散热性能，适用于需要高功率密度的电路设计。STGD19N40LZ 还具备快速开关特性，减少了开关损耗，提高了系统的响应速度。
　　该MOSFET的封装设计具有良好的机械强度和电气绝缘性能，能够有效防止短路和过热损坏。其高可靠性和长寿命使其成为工业控制、电源管理和电机驱动等应用的理想选择。

应用

STGD19N40LZ 常用于电源转换系统，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和开关电源（SMPS）。其高效率和低导通电阻特性使其在电机控制和驱动电路中表现出色，适用于工业自动化和机器人控制。
　　此外，该MOSFET也广泛用于负载开关电路、电池管理系统（BMS）以及LED照明驱动器。由于其高耐压和良好的热性能，STGD19N40LZ 也被应用于家电、电动工具和电动车控制系统等需要高可靠性和高效率的领域。
　　在电机控制应用中，STGD19N40LZ 可用于H桥驱动电路，实现电机的正反转控制。在电源管理应用中，它可用于构建高效能的同步整流电路和功率因数校正（PFC）电路。其快速开关特性也有助于减少电磁干扰（EMI），提高系统的稳定性。