时间：2025/5/24 17:51:59
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CDR33BX183BMZPAT 是一款由罗姆（ROHM）生产的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率晶体管，广泛应用于高效能电源转换和电机驱动领域。该器件采用了先进的 SiC 技术，具有出色的开关特性和低导通电阻，能够在高频工作条件下提供高效率和高可靠性。
与传统的硅基功率器件相比，SiC MOSFET 提供了更高的击穿电压、更低的开关损耗以及更好的热性能，非常适合用于工业设备、电动汽车及可再生能源系统中的高频逆变器、DC-DC 转换器和充电模块。
类型：MOSFET
材料：碳化硅 (SiC)
耐压：1200V
导通电阻：33mΩ
最大漏极电流：18A
栅极电荷：95nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：D2PAK-7 (TO-263-7)
CDR33BX183BMZPAT 的主要特性包括：
1. 采用 SiC 材料，具备卓越的高温稳定性和高频开关能力。
2. 极低的导通电阻 (33mΩ)，能够显著降低传导损耗。
3. 高耐压等级 (1200V)，适用于高压环境下的应用。
4. 快速开关速度，有效减少开关损耗。
5. 支持宽禁带技术，提高整体系统效率。
6. 具备优异的热性能，能够在高温条件下长期稳定运行。
7. 封装设计紧凑，适合空间受限的应用场景。
CDR33BX183BMZPAT 常见的应用领域包括：
1. 工业电机驱动及伺服系统。
2. 高效 DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
4. 电动汽车充电基础设施，如车载充电器 (OBC) 和快速充电桩。
5. 不间断电源 (UPS) 系统。
6. 高频功率变换器及其他高性能电力电子设备。
SCT3180K, C3M0033120K
