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CDR33BX183BMZPAT 发布时间 时间:2025/5/24 17:51:59 查看 阅读:18

CDR33BX183BMZPAT 是一款由罗姆(ROHM)生产的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率晶体管,广泛应用于高效能电源转换和电机驱动领域。该器件采用了先进的 SiC 技术,具有出色的开关特性和低导通电阻,能够在高频工作条件下提供高效率和高可靠性。
  与传统的硅基功率器件相比,SiC MOSFET 提供了更高的击穿电压、更低的开关损耗以及更好的热性能,非常适合用于工业设备、电动汽车及可再生能源系统中的高频逆变器、DC-DC 转换器和充电模块。

参数

类型:MOSFET
  材料:碳化硅 (SiC)
  耐压:1200V
  导通电阻:33mΩ
  最大漏极电流:18A
  栅极电荷:95nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:D2PAK-7 (TO-263-7)

特性

CDR33BX183BMZPAT 的主要特性包括:
  1. 采用 SiC 材料,具备卓越的高温稳定性和高频开关能力。
  2. 极低的导通电阻 (33mΩ),能够显著降低传导损耗。
  3. 高耐压等级 (1200V),适用于高压环境下的应用。
  4. 快速开关速度,有效减少开关损耗。
  5. 支持宽禁带技术,提高整体系统效率。
  6. 具备优异的热性能,能够在高温条件下长期稳定运行。
  7. 封装设计紧凑,适合空间受限的应用场景。

应用

CDR33BX183BMZPAT 常见的应用领域包括:
  1. 工业电机驱动及伺服系统。
  2. 高效 DC-DC 转换器和 PFC(功率因数校正)电路。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
  4. 电动汽车充电基础设施,如车载充电器 (OBC) 和快速充电桩。
  5. 不间断电源 (UPS) 系统。
  6. 高频功率变换器及其他高性能电力电子设备。

替代型号

SCT3180K, C3M0033120K

CDR33BX183BMZPAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BX
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率P(0.1%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"(1.25mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-