MPS8050-D-AT 时间：2025/9/11 18:32:39 阅读：18

MPS8050-D-AT 是一款由MPS（Monolithic Power Systems）公司制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及其他需要高效功率开关的场合。该器件采用高性能硅技术，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，有助于提升系统效率并减少热量产生。MPS8050-D-AT采用DFN5x6封装，具备良好的散热性能，适用于各种工业、消费电子和汽车应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　导通电阻（RDS(on)）：32mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.4V~2.5V
　　最大功耗（PD）：32W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：DFN5x6

特性

MPS8050-D-AT具有多个关键性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著减少了导通损耗，从而提高了整体系统效率。
　　其次，该MOSFET具备较高的电流承载能力，额定漏极电流为12A，适合中高功率应用。
　　此外，MPS8050-D-AT采用了先进的封装技术，DFN5x6封装不仅体积小巧，便于PCB布局，还具有优异的热管理性能，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可与标准逻辑电平兼容，便于与各种控制器或驱动器配合使用。
　　最后，MPS8050-D-AT具有良好的雪崩击穿耐受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护，增强了系统的可靠性和耐用性。

应用

MPS8050-D-AT适用于多种功率电子系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、马达驱动器、LED驱动电路以及工业自动化控制设备。
　　其高效率和良好的热性能使其成为电源管理模块、便携式设备、电动工具以及汽车电子系统中的理想选择。
　　在汽车应用中，该器件可用于车载充电器、车身控制模块和电动助力转向系统等场景。