BSS84 B84 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管,广泛应用于各种电子设备中作为开关元件。这款 MOSFET 采用 SOT-23 封装,具有低导通电阻、高可靠性以及快速开关特性,适合用于负载开关、DC-DC 转换器、电源管理和电池供电设备等应用场合。BSS84 B84 的设计使其在低电压和中等电流环境下表现出色,同时具备良好的热稳定性和抗静电能力。
类型:P 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):100 mA
最大漏源电压(VDS):-100 V
最大栅源电压(VGS):±20 V
导通电阻(RDS(on)):1.8 Ω @ VGS = -10 V
漏极电容(Ciss):25 pF
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23
BSS84 B84 具备多项优异特性,使其在各种电子电路中表现出色。首先,其 P 沟道结构设计使其在负电压条件下具有良好的导通能力,适用于多种电源管理和负载开关应用。其次,该器件的低导通电阻(RDS(on))为 1.8 Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,BSS84 B84 的漏极电容较低(25 pF),能够实现快速开关操作,减少开关损耗,适用于高频开关电路。
在可靠性方面,BSS84 B84 具有良好的热稳定性和抗静电能力(ESD),能够在较宽的温度范围内(-55°C 至 +150°C)稳定工作,适用于严苛的工业和汽车电子环境。SOT-23 小型封装设计不仅节省空间,还便于 PCB 布局和自动化生产。此外,该器件符合 RoHS 环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品设计。
BSS84 B84 由于其高可靠性和紧凑封装,被广泛应用于多个领域。常见应用包括:小型电子设备中的负载开关、DC-DC 转换器、电池管理系统、LED 驱动电路、工业控制电路、便携式设备电源管理等。此外,由于其具备良好的抗静电能力和稳定性,该器件也常用于汽车电子系统,如车灯控制模块、车载电源系统和传感器电路中。在消费类电子产品中,BSS84 B84 可用于智能手表、无线耳机、可穿戴设备等产品的电源管理单元,以实现高效的能量控制和延长电池续航时间。
2N3906, BC846, BC850, BSS84