K1938 时间：2025/8/9 11:47:17 阅读：26

K1938 是一款常见的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于高电流和高电压控制场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和较强的热稳定性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用。K1938采用TO-220封装，便于散热，适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：9A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.32Ω（最大值）
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（Pd）：75W

特性

K1938具有低导通电阻的特点，有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其高耐压能力（500V）使其适用于高压电源系统。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性和过热保护性能，能够在恶劣工作条件下保持稳定运行。
　　K1938的高速开关特性使其适用于高频开关电路，例如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。
　　TO-220封装设计便于安装和散热，适用于多种PCB布局。
　　其栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V之间的驱动电压，增强了其在不同应用中的兼容性。

应用

K1938常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED驱动器、电池管理系统以及工业自动化设备中的负载开关控制。
　　在电源管理应用中，它被广泛用于高效率的功率转换系统。
　　在电机控制中，K1938可以作为H桥电路中的关键开关元件。
　　此外，它也适用于各种消费类电子产品中的功率控制电路。