LDTA113TWT1G 是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。这款晶体管设计用于通用开关和放大应用,具有良好的性能特性和可靠性,适用于多种电子电路设计。LDTA113TWT1G采用SOT-323(也称为SC-70)小型封装,便于在空间受限的电路板上使用。
类型:NPN型晶体管
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):50V
最大集电极-基极电压(Vcb):50V
最大功耗:200mW
电流增益(hFE):在Ic=2mA时为110至800(具体分为不同等级)
频率响应:100MHz典型值
工作温度范围:-55°C至+150°C
LDTA113TWT1G晶体管具备多项优良特性,适合广泛的应用场景。首先,其NPN结构使其在电流放大和开关应用中表现出色,尤其是在需要较高频率响应的电路中。该晶体管的最大集电极电流为100mA,能够处理相对较大的负载,同时其最大集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为50V,提供了较高的电压承受能力。
其次,LDTA113TWT1G的电流增益(hFE)范围较广,从110到800,这取决于具体的等级划分,使得设计者可以根据不同的放大需求选择合适的型号。此外,该晶体管的工作频率可达100MHz,适合用于射频(RF)或高速开关电路。
封装方面,LDTA113TWT1G采用SOT-323封装,这是一种非常小巧的表面贴装封装形式,有助于节省PCB空间,并简化自动化生产流程。其工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于工业级和汽车电子应用。
此外,该晶体管具有较低的饱和压降(Vce_sat),在导通状态下功耗较低,有助于提高整体电路的能效。同时,其优异的热稳定性和可靠性确保了在长时间运行中的性能一致性。
LDTA113TWT1G晶体管广泛应用于多个领域。在通用电子电路中,它常用于信号放大器的设计,例如音频放大器、传感器信号调理电路等。由于其较高的频率响应特性,该晶体管也适合用于射频(RF)前端电路或高速开关应用。
在数字电路中,LDTA113TWT1G可用于构建逻辑门电路、缓冲器或驱动器,特别是在需要将微控制器输出信号放大以驱动继电器、LED或小型电机的场景中。此外,它还可用于电源管理电路,如DC-DC转换器中的开关元件,或作为保护电路的一部分,例如过流保护或电压调节电路。
在汽车电子系统中,LDTA113TWT1G可用于车身控制模块、照明系统、仪表盘显示控制等应用。其宽工作温度范围和高可靠性使其能够适应汽车环境中的严苛条件。此外,在工业自动化设备中,该晶体管可用于控制执行器、继电器或其他外围设备的开关操作。
BC847系列, 2N3904, MMBT3904, PN2222A