产品类型：肖特基势垒二极管
　　配置：单路
　　反向重复电压（VRRM）：40V
　　平均整流电流（IO）：30A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：150A
　　正向压降（VF）：典型值850mV（在30A时）
　　最大反向漏电流（IR）：500μA（最大值，40V时）
　　工作结温范围：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装/外壳：MBB26S
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　热阻（RθJA）：约2.0°C/W（典型值，依PCB布局而定）
　　反向恢复时间（trr）：≤ 5ns（典型值）

MBL26S10的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属与半导体之间的势垒实现整流功能，相较于传统的PN结二极管，它显著降低了正向导通压降（VF），从而有效减少功率损耗并提升系统整体效率。该器件的典型正向压降仅为850mV，在30A的大电流工作条件下仍能保持较低的功耗水平，这使得其在大功率密度的应用中表现出色，有助于简化散热设计并缩小终端产品的体积。
　　此外，MBL26S10具备极快的开关速度，其反向恢复时间（trr）小于5ns，几乎可以忽略不计，因此在高频开关电源如同步整流电路、DC-DC转换器中能够大幅降低开关噪声和电磁干扰（EMI），提高系统的稳定性和电磁兼容性。由于没有少数载流子存储效应，该器件在开关过程中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，进一步提升了电源转换效率。
　　该器件采用MBB26S封装，是一种专为高电流应用优化的表面贴装封装，具有优异的热传导性能和机械稳定性。封装底部设计有大面积散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内部地层或散热层，从而实现高效散热。其2.0°C/W左右的热阻（RθJA）表明其在合理布局的PCB上可长时间承载高达30A的平均整流电流而不会出现过热问题。
　　MBL26S10还具备良好的反向击穿特性，额定反向重复电压为40V，适合用于12V、24V等常见直流电源系统的整流与续流保护。其最大反向漏电流在40V下不超过500μA，确保在正常工作电压范围内具有较高的阻断能力。器件的工作结温范围宽达-65°C至+125°C，适应各种严苛环境下的运行需求。同时，产品通过AEC-Q101汽车级可靠性认证的可能性较高，使其也可应用于车载电子系统中。
　　在制造工艺方面，MBL26S10采用先进的自动化封装技术，保证了批次间的一致性和高可靠性。其无铅（Pb-free）和符合RoHS指令的设计符合全球环保法规要求，适用于出口型电子产品。此外，该器件支持回流焊工艺，便于实现自动化贴片生产，提高了生产效率和良品率。

主要用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、笔记本电脑电源模块、服务器电源系统、电池充电电路、逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源以及各类需要高效整流和续流功能的电子设备中。特别适用于高频率、高效率要求的同步整流拓扑结构。

MBR3040CT、SB3040、SD3040、MBRB3045CT