MBR1040VL_R1_00001 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的肖特基二极管阵列,常用于高效率的电源转换应用,例如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器以及反向电压保护电路。该器件采用双芯片结构,包含两个独立的肖特基二极管,具有低正向压降、高浪涌电流能力和快速开关特性。MBR1040VL_R1_00001 通常用于提高电源系统的效率并减少热量损耗。
器件类型:肖特基二极管阵列
最大正向电流:10A
峰值反向电压:40V
正向压降(IF=5A时):≤0.47V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TO-220AB
安装类型:通孔
MBR1040VL_R1_00001 的主要特性之一是其低正向压降,这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。在 IF=5A 时,其正向压降不超过 0.47V,这对于高电流应用尤为重要。
此外,该器件具有高达 10A 的最大正向电流能力,适用于中高功率的电源转换应用。其峰值反向电压为 40V,适用于多种低压直流电源系统的设计。
MBR1040VL_R1_00001 还具有良好的热稳定性和高浪涌电流承受能力,使其在高负载或瞬态条件下也能稳定工作。其 TO-220AB 封装设计便于安装在散热片上,提高散热效率。
另一个重要特性是其快速开关性能,几乎没有反向恢复时间(trr),这使得它非常适合用于高频开关电路,如 DC-DC 转换器和同步整流电路,有助于减少开关损耗并提升整体性能。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适合在各种工业和车载环境中使用。其可靠性高,符合 RoHS 环保标准,适合用于对环保要求较高的应用场合。
MBR1040VL_R1_00001 广泛应用于多种电源管理系统和转换器中,尤其是在需要高效能和低损耗的场合。其低正向压降和高电流能力使其非常适合用于开关电源(SMPS)中的整流部分,能够有效提高电源转换效率。
在 DC-DC 转换器中,该器件可以作为输出整流器使用,减少功率损耗并提高转换效率。由于其快速开关特性,特别适用于高频操作环境,有助于减小外部滤波元件的尺寸,从而实现更紧凑的电源设计。
此外,MBR1040VL_R1_00001 也常用于反向电压保护电路,防止因电源极性接反而导致系统损坏。这一特性使其在汽车电子系统、电池管理系统和工业控制设备中具有广泛的应用。
在太阳能逆变器、LED 照明驱动器以及便携式电子设备的充电电路中,该器件也能发挥重要作用。其高可靠性和良好的热性能使其能够在恶劣的工作环境下稳定运行,适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。
MBR1045CT、SB1040、MBR1040V