型号：MB3615M-G
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　拓扑结构：升压型（Boost）
　　控制方式：PFM（脉冲频率调制）
　　输入电压范围：0.9V ~ 5.5V
　　输出电压：可调（通过外部电阻分压器）或固定选项（如3.3V/5V）
　　最大输出电流：可达150mA（取决于输入电压和电感选择）
　　开关频率：典型值约300kHz
　　静态电流：约4μA（待机模式）
　　工作效率：高达95%（典型条件）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：DFN2020-6 或 类似小型封装
　　集成MOSFET：无（外驱高边N-FET）
　　反馈参考电压：约0.6V
　　保护功能：过流保护、软启动、热关断
　　使能功能：支持（EN引脚）

MB3615M-G的核心特性之一是其超低静态电流设计，在待机或轻载状态下仅消耗约4μA的电流，这一性能使其成为电池供电设备的理想选择，尤其是在需要长时间待机的应用中，例如远程传感器、智能标签和可穿戴健康监测设备。这种极低的静态功耗显著延长了电池寿命，减少了更换频率，提升了用户体验。
　　该芯片采用PFM控制模式，能够在输入电压接近输出电压的情况下仍维持高效运行。与传统的PWM控制器相比，PFM在轻负载时通过调节开关脉冲的频率而非占空比来稳定输出电压，避免了频繁开关带来的能量损耗，从而在部分负载条件下实现更高的转换效率。对于间歇性工作的系统来说，这种调制方式能够动态适应负载变化，优化整体能耗表现。
　　MB3615M-G支持宽范围输入电压（0.9V起），这意味着它可以在单节干电池或可充电电池电量较低时依然正常工作，极大提升了电源利用率。许多传统升压转换器在输入电压低于1.2V时无法启动，而MB3615M-G通过优化启动电路和内部偏置设计，实现了真正的“冷启动”能力，即使在电池接近耗尽时也能提供稳定输出。
　　该器件采用外驱N沟道MOSFET架构，允许用户根据实际需求选择不同规格的功率管，从而在成本、效率和尺寸之间取得最佳平衡。同时支持同步整流配置，可通过外部二极管或MOSFET实现更低的压降和更高的效率。此外，芯片内部集成了软启动功能，防止启动过程中产生过大的浪涌电流，保护电源和负载电路。
　　封装方面，MB3615M-G使用DFN2020-6等小型无铅封装，具有良好的热性能和空间利用率，适用于高密度贴装环境。其全集成设计减少了对外部元件的依赖，仅需少量外围元件即可构成完整升压电路，降低了BOM成本并提高了系统可靠性。

MB3615M-G广泛应用于各类低功耗便携式电子设备中，尤其适用于那些依赖电池长期运行且对体积和能效有严格要求的产品。典型应用场景包括可穿戴设备如智能手环、电子体温计、心率监测仪等，这些设备通常使用纽扣电池或微型锂电池供电，要求电源管理方案具备超低静态电流和高转换效率，以确保数周甚至数月的续航能力。
　　在物联网（IoT）领域，该芯片可用于无线传感器节点、智能家居终端、RFID读写器模块等，这些设备往往部署在难以频繁更换电池的环境中，因此高效的能量利用至关重要。MB3615M-G能够将微弱的电池电压稳定升压至MCU、无线收发模块（如BLE、LoRa、Zigbee）所需的工作电压，保障系统持续可靠运行。
　　此外，该芯片也适用于工业手持仪表、便携式医疗设备、电子货架标签（ESL）、智能钥匙、玩具和消费类电子产品中的局部电源管理。在这些应用中，MB3615M-G不仅提供稳定的电压输出，还能通过其使能引脚实现精确的电源控制，配合主控MCU进行休眠与唤醒操作，实现精细化的电源管理策略。
　　由于其宽输入电压范围和高效率特性，MB3615M-G还可用于能量采集系统（Energy Harvesting），例如太阳能、振动或热能收集装置的后级升压电路，将微瓦级别的原始电能升压至可供电子电路使用的水平，推动绿色能源技术的发展。

BD70528MWV-E2
　　TPS61200DCKR
　　MAX17222
　　LTC3108-1