您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IS43TR16256A-107MBLI

IS43TR16256A-107MBLI 发布时间 时间:2025/9/1 9:27:06 查看 阅读:9

IS43TR16256A-107MBLI 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司制造的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问时间的特点,适用于需要快速数据读写和高可靠性的应用场合。该SRAM的容量为256K x 16,工作电压为3.3V,封装形式为54引脚TSOP(薄型小外形封装),适合在工业级温度范围内(-40°C至+85°C)运行。

参数

容量:256K x 16位
  电压:3.3V
  访问时间:10 ns
  封装:54-TSOP
  温度范围:-40°C至+85°C
  工作模式:异步
  数据宽度:16位
  封装类型:表面贴装
  引脚数:54
  最大工作频率:100 MHz
  功耗:典型工作模式下为200mA,待机模式下为10mA

特性

IS43TR16256A-107MBLI SRAM芯片采用高性能CMOS技术,具有非常低的功耗和高速的访问时间。其异步工作模式使其适用于各种嵌入式系统和工业控制设备。该芯片支持双向数据总线,允许高效的数据传输和读写操作。此外,该芯片具有宽广的工业级温度范围,确保在恶劣环境下仍能保持稳定运行。
  IS43TR16256A-107MBLI还具备自动低功耗待机模式,在没有访问操作时自动进入低功耗状态,从而进一步延长设备的使用寿命并减少能耗。芯片内部集成了地址和数据锁存器,减少了对外部逻辑的需求,简化了系统设计。其TSOP封装形式不仅节省空间,还提供了良好的热管理和电气性能,非常适合高密度PCB设计。

应用

该芯片广泛应用于需要高速、低功耗和可靠存储的系统中,如工业控制设备、通信设备、网络路由器、打印机、测试设备以及嵌入式控制系统等。此外,它也适合用于图像处理设备、医疗设备和车载电子系统等对性能和稳定性有较高要求的应用场景。

替代型号

IS43TR16256A-107MBSI, IS43TR16512A-107MBLI, CY62148EVLL-10ZSXI

IS43TR16256A-107MBLI推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IS43TR16256A-107MBLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织256M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)