时间：2025/9/1 9:27:06
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IS43TR16256A-107MBLI 是由 Integrated Silicon Solution（ISSI）公司制造的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问时间的特点，适用于需要快速数据读写和高可靠性的应用场合。该SRAM的容量为256K x 16，工作电压为3.3V，封装形式为54引脚TSOP（薄型小外形封装），适合在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）运行。
容量：256K x 16位
电压：3.3V
访问时间：10 ns
封装：54-TSOP
温度范围：-40°C至+85°C
工作模式：异步
数据宽度：16位
封装类型：表面贴装
引脚数：54
最大工作频率：100 MHz
功耗：典型工作模式下为200mA，待机模式下为10mA
IS43TR16256A-107MBLI SRAM芯片采用高性能CMOS技术，具有非常低的功耗和高速的访问时间。其异步工作模式使其适用于各种嵌入式系统和工业控制设备。该芯片支持双向数据总线，允许高效的数据传输和读写操作。此外，该芯片具有宽广的工业级温度范围，确保在恶劣环境下仍能保持稳定运行。
IS43TR16256A-107MBLI还具备自动低功耗待机模式，在没有访问操作时自动进入低功耗状态，从而进一步延长设备的使用寿命并减少能耗。芯片内部集成了地址和数据锁存器，减少了对外部逻辑的需求，简化了系统设计。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提供了良好的热管理和电气性能，非常适合高密度PCB设计。
该芯片广泛应用于需要高速、低功耗和可靠存储的系统中，如工业控制设备、通信设备、网络路由器、打印机、测试设备以及嵌入式控制系统等。此外，它也适合用于图像处理设备、医疗设备和车载电子系统等对性能和稳定性有较高要求的应用场景。
IS43TR16256A-107MBSI, IS43TR16512A-107MBLI, CY62148EVLL-10ZSXI
