IS43TR16256A-107MBLI 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司制造的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问时间的特点,适用于需要快速数据读写和高可靠性的应用场合。该SRAM的容量为256K x 16,工作电压为3.3V,封装形式为54引脚TSOP(薄型小外形封装),适合在工业级温度范围内(-40°C至+85°C)运行。
容量:256K x 16位
电压:3.3V
访问时间:10 ns
封装:54-TSOP
温度范围:-40°C至+85°C
工作模式:异步
数据宽度:16位
封装类型:表面贴装
引脚数:54
最大工作频率:100 MHz
功耗:典型工作模式下为200mA,待机模式下为10mA
IS43TR16256A-107MBLI SRAM芯片采用高性能CMOS技术,具有非常低的功耗和高速的访问时间。其异步工作模式使其适用于各种嵌入式系统和工业控制设备。该芯片支持双向数据总线,允许高效的数据传输和读写操作。此外,该芯片具有宽广的工业级温度范围,确保在恶劣环境下仍能保持稳定运行。
IS43TR16256A-107MBLI还具备自动低功耗待机模式,在没有访问操作时自动进入低功耗状态,从而进一步延长设备的使用寿命并减少能耗。芯片内部集成了地址和数据锁存器,减少了对外部逻辑的需求,简化了系统设计。其TSOP封装形式不仅节省空间,还提供了良好的热管理和电气性能,非常适合高密度PCB设计。
该芯片广泛应用于需要高速、低功耗和可靠存储的系统中,如工业控制设备、通信设备、网络路由器、打印机、测试设备以及嵌入式控制系统等。此外,它也适合用于图像处理设备、医疗设备和车载电子系统等对性能和稳定性有较高要求的应用场景。
IS43TR16256A-107MBSI, IS43TR16512A-107MBLI, CY62148EVLL-10ZSXI