型号：MB1504HPF-G-BND
　　制造商：Renesas Electronics
　　类型：锁相环（PLL）频率合成器
　　工作电压范围：2.7V 至 5.5V
　　典型工作电流：约8mA（正常工作模式）
　　输出频率范围：最高可达4.0GHz
　　参考输入频率范围：最大300MHz
　　分频比：可编程，支持高分辨率设置
　　相位噪声（典型值）：-105 dBc/Hz @ 10kHz 偏移（取决于具体配置）
　　锁定检测功能：支持
　　接口类型：三线或四线串行接口（Serial Clock, Serial Data, Enable, 可选LD）
　　封装形式：20引脚QFN（4mm x 4mm）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　调制支持：支持分数-N和整数-N模式操作

MB1504HPF-G-BND具备出色的频率合成精度与动态响应性能，其核心优势在于支持分数-N和整数-N两种合成模式，允许用户在频率分辨率与相位噪声之间进行优化权衡。在分数-N模式下，该芯片能够实现极高的频率分辨率，通常可达到几Hz级别，非常适合需要精细信道间隔调整的应用，如多通道无线收发系统。同时，其内置的Σ-Δ调制器有效降低了杂散信号水平，提升了整体频谱纯净度。该芯片内部集成多个可编程分频器，包括参考分频器、反馈分频器以及前置分频器，这些模块均可通过串行接口灵活配置，增强了系统的适应性。
　　该器件具备低功耗特性，在保持高性能的同时显著降低系统能耗，适合用于便携式通信设备或电池供电系统。其串行控制接口兼容标准数字逻辑电平，易于与微控制器、DSP或其他数字处理器连接，简化了系统设计。芯片还配备了锁定检测（Lock Detect）功能，可通过专用引脚或寄存器状态反馈PLL是否已成功锁定目标频率，便于系统实时监控和故障诊断。
　　在可靠性方面，MB1504HPF-G-BND采用先进的CMOS工艺制造，具备良好的热稳定性和抗噪声干扰能力。其QFN封装不仅体积小巧，而且具有优良的散热性能，确保长时间运行下的稳定性。此外，该芯片符合RoHS环保标准，适用于各类工业级和商业级通信产品。为了进一步提升系统集成度，该芯片还支持外部VCO的直接驱动，无需额外缓冲放大即可连接高频VCO模块，减少了外围元件数量，降低了设计复杂度和成本。

MB1504HPF-G-BND广泛应用于各种高频无线通信系统中，尤其是在需要高频率精度和低相位噪声的场景。典型应用包括蜂窝通信基站中的本地振荡器（LO）生成、微波点对点通信链路、卫星通信终端、宽带无线接入系统（如WLL、WiMAX）、测试与测量仪器中的信号源模块等。由于其支持高达4GHz的输出频率，因此也适用于UHF和SHF频段的射频前端设计。
　　在无线基础设施领域，该芯片可用于构建多频段、多模式的收发器架构，支持灵活的信道切换和频率跳变功能，满足现代通信协议对频谱效率的要求。在工业、科学和医疗（ISM）频段设备中，如无线传感器网络、远程监控系统和RFID读写器，MB1504HPF-G-BND可提供稳定的本振信号，确保数据传输的可靠性。
　　此外，该器件还可用于雷达系统、航空航天电子设备以及高性能软件定义无线电（SDR）平台。在这些应用中，其快速锁定能力和低抖动特性对于保证系统时序精度至关重要。得益于其小尺寸封装和低功耗特性，该芯片也非常适合嵌入式通信模块、小型化射频卡和便携式测试设备中使用。通过合理配置寄存器参数，开发者可以轻松实现不同频段之间的切换，适应多标准通信环境的需求。

MB15E04LNSTF-G-BND
　　MB15E06HNPF-G-BND
　　MB15A03SLPF-G-BND