类型：PNP型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：最小值为60（典型值可达数百）

MMDT4403_R1_00001 具有多种关键特性，使其适用于广泛的电子应用。首先，该晶体管的高频特性非常出色，其过渡频率（fT）达到250MHz，这意味着它可以在高频放大器中提供优异的性能，适合用于射频（RF）信号放大和高速开关电路。
　　其次，MMDT4403_R1_00001 的电流增益（hFE）范围较宽，通常在60至数百之间，这使得它在不同的偏置条件下都能提供良好的放大效果。这种灵活性使其成为设计通用放大器和数字开关电路的理想选择。
　　此外，该器件的功耗较低，最大功率耗散为200mW，适合用于便携式设备和对能耗敏感的应用。其SOT-23封装形式提供了较小的PCB占用空间，同时也具备良好的热管理和机械稳定性，适用于自动化装配工艺。
　　在电气特性方面，MMDT4403_R1_00001 的集电极-发射极击穿电压（VCEO）为40V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中低压电路应用。该晶体管的基极-发射极电压（VBE）约为-0.7V（典型值），与标准的硅晶体管一致，确保与现有电路设计的兼容性。
　　由于其制造工艺成熟，MMDT4403_R1_00001 具有良好的一致性和可靠性，适用于批量生产和长期使用。

MMDT4403_R1_00001 主要应用于高频放大器、射频（RF）模块、开关电路、音频放大器和数字逻辑电路中。由于其高频特性，该晶体管常用于无线通信设备中的信号放大，例如在蓝牙模块、Wi-Fi收发器和小型无线发射机中。在开关电路中，它可以作为低功耗开关使用，适用于微控制器输出驱动、LED控制和继电器驱动等场景。
　　此外，该晶体管还广泛用于模拟电路设计中，如运算放大器前端级、传感器信号调理电路和电源管理电路。由于其SOT-23封装体积小，MMDT4403_R1_00001 也适用于空间受限的便携式电子产品，如智能手机、可穿戴设备和物联网（IoT）终端设备。

BC850P, MMBT4403, 2N3906