RF7917TR13-5K 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)制造的射频(RF)功率晶体管,采用 GaAs(砷化镓)技术制造。该器件专为高功率、高频应用而设计,适用于无线基础设施、基站、雷达系统和工业应用中的射频放大器。该器件采用表面贴装封装,型号中的 TR13 表示其为表面贴装版本,而 5K 则表示卷带包装(Tape and Reel, 5000 pcs per reel)。
类型:射频功率晶体管
技术:GaAs FET(场效应晶体管)
频率范围:2.3 GHz 至 2.7 GHz(典型用于 LTE、WiMAX 和其他无线通信系统)
输出功率:17 W(典型值)
增益:约 13 dB
效率:约 35%
漏极电流(Id):最大 1.2 A
工作电压:28 V 典型
封装类型:表面贴装(Surface Mount)
包装方式:TR13(卷带封装,5000 件每卷)
RF7917TR13-5K 是一款高性能 GaAs FET 功率晶体管,专为在 2.3 GHz 至 2.7 GHz 频段内工作而优化。该器件采用先进的 GaAs 技术制造,具有良好的热稳定性和可靠性。其高输出功率(高达 17 W)和较高的增益(13 dB)使其适用于基站功率放大器和无线基础设施设备。器件的高效率(35%)有助于减少功耗和散热需求,从而提高整体系统效率。该器件的工作电压为 28 V,漏极电流最大为 1.2 A,具有良好的线性度和稳定性,适合用于多载波和宽带应用。封装为表面贴装形式,便于自动化组装和集成到现代通信设备中。此外,TR13 版本的卷带包装方式适用于大规模生产环境,提高制造效率。
RF7917TR13-5K 的设计考虑了在苛刻环境下的稳定运行,其封装结构具有良好的散热性能,能够承受较高的工作温度。该器件还具有良好的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中稳定工作。其高增益和低失真特性使其适用于要求严格的通信系统,如 LTE、WiMAX 和其他无线宽带系统。此外,该晶体管的输入和输出匹配网络已经优化,减少了外围电路的复杂度,降低了设计难度。RF7917TR13-5K 通常用于构建高线性度、高效率的 Doherty 放大器和其他类型的射频功率放大器拓扑结构。
RF7917TR13-5K 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器模块。其典型应用包括 LTE 基站、WiMAX 系统、无线本地环路(WLL)、雷达系统、测试设备和工业射频功率控制设备。由于其工作频率范围覆盖 2.3 GHz 至 2.7 GHz,非常适合用于现代移动通信系统。该器件还可用于构建多载波功率放大器(MCPA)和宽带放大器,适用于需要高输出功率和良好线性度的应用场景。此外,其表面贴装封装形式也适用于自动化装配和高密度 PCB 布局。
RF7917TR13-5K 可以被 RF7918TR13(18 W 输出功率)、RF7916TR13(16 W 输出功率)等型号替代,具体取决于应用需求和性能要求。