RF7917TR13-5K 时间：2025/8/16 3:34:30 阅读：32

RF7917TR13-5K 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）制造的射频（RF）功率晶体管，采用 GaAs（砷化镓）技术制造。该器件专为高功率、高频应用而设计，适用于无线基础设施、基站、雷达系统和工业应用中的射频放大器。该器件采用表面贴装封装，型号中的 TR13 表示其为表面贴装版本，而 5K 则表示卷带包装（Tape and Reel, 5000 pcs per reel）。

参数

类型：射频功率晶体管
　　技术：GaAs FET（场效应晶体管）
　　频率范围：2.3 GHz 至 2.7 GHz（典型用于 LTE、WiMAX 和其他无线通信系统）
　　输出功率：17 W（典型值）
　　增益：约 13 dB
　　效率：约 35%
　　漏极电流（Id）：最大 1.2 A
　　工作电压：28 V 典型
　　封装类型：表面贴装（Surface Mount）
　　包装方式：TR13（卷带封装，5000 件每卷）

特性

RF7917TR13-5K 是一款高性能 GaAs FET 功率晶体管，专为在 2.3 GHz 至 2.7 GHz 频段内工作而优化。该器件采用先进的 GaAs 技术制造，具有良好的热稳定性和可靠性。其高输出功率（高达 17 W）和较高的增益（13 dB）使其适用于基站功率放大器和无线基础设施设备。器件的高效率（35%）有助于减少功耗和散热需求，从而提高整体系统效率。该器件的工作电压为 28 V，漏极电流最大为 1.2 A，具有良好的线性度和稳定性，适合用于多载波和宽带应用。封装为表面贴装形式，便于自动化组装和集成到现代通信设备中。此外，TR13 版本的卷带包装方式适用于大规模生产环境，提高制造效率。
　　RF7917TR13-5K 的设计考虑了在苛刻环境下的稳定运行，其封装结构具有良好的散热性能，能够承受较高的工作温度。该器件还具有良好的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作。其高增益和低失真特性使其适用于要求严格的通信系统，如 LTE、WiMAX 和其他无线宽带系统。此外，该晶体管的输入和输出匹配网络已经优化，减少了外围电路的复杂度，降低了设计难度。RF7917TR13-5K 通常用于构建高线性度、高效率的 Doherty 放大器和其他类型的射频功率放大器拓扑结构。

应用

RF7917TR13-5K 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器模块。其典型应用包括 LTE 基站、WiMAX 系统、无线本地环路（WLL）、雷达系统、测试设备和工业射频功率控制设备。由于其工作频率范围覆盖 2.3 GHz 至 2.7 GHz，非常适合用于现代移动通信系统。该器件还可用于构建多载波功率放大器（MCPA）和宽带放大器，适用于需要高输出功率和良好线性度的应用场景。此外，其表面贴装封装形式也适用于自动化装配和高密度 PCB 布局。