2SK168是一款由日本东芝公司(Toshiba)生产的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于音频放大器、开关电源、DC-DC转换器等电子设备中。作为一款高可靠性和高性能的功率MOSFET,2SK168以其良好的导通特性和快速的开关响应能力受到工程师的青睐。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):100V
栅源电压(VGS):20V
漏极电流(ID):连续15A
漏极功耗(PD):75W
工作温度范围:-55°C至+150°C
导通电阻(RDS(on)):约0.045Ω
封装形式:TO-220
2SK168具有多项优异的电气和机械特性,适用于高要求的电子应用。首先,其最大漏源电压为100V,使其能够适应中高压范围的电路设计需求。其次,漏极电流可达到15A,适合中高功率的负载切换和放大应用。此外,该MOSFET的导通电阻较低,约为0.045Ω,这显著减少了导通状态下的功率损耗,提高了整体能效。
在热性能方面,2SK168采用了TO-220封装,具备良好的散热能力,能够在高功率运行条件下保持稳定的工作温度。其最大漏极功耗为75W,进一步增强了其在高功率应用中的可靠性。此外,器件的栅源电压为20V,提供了较宽的控制电压范围,确保栅极控制的稳定性。
该MOSFET的工作温度范围为-55°C至+150°C,显示出其在极端温度环境下的良好适应性和稳定性。这一特性使其特别适用于工业设备、音频功率放大器以及各类电源管理电路中。
2SK168广泛应用于多个电子领域,特别是在音频功率放大器设计中,因其低导通电阻和高电流承载能力,常被用于输出级的功率放大。在电源管理方面,它适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器以及电池充电器等电路,用作高效率的开关元件。
此外,2SK168也常用于电机驱动控制、逆变器系统、LED驱动电源以及各类工业自动化设备中的功率控制部分。由于其快速的开关响应时间,该器件在高频开关电路中表现出色,有助于提高系统效率并减小整体电路体积。
在音响发烧友和DIY电子爱好者中,2SK168也是构建高品质音频放大器的热门选择,尤其在甲类放大器设计中,其良好的线性特性和低失真表现受到广泛认可。
2SK214, 2SK1058, IRF540N