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ES3GB 发布时间 时间:2025/7/2 9:55:05 查看 阅读:8

ES3GB是一款基于CMOS工艺设计的高精度模拟开关芯片,广泛应用于需要低导通电阻和高信号完整性的电路中。该芯片具有出色的性能,在音频切换、数据通信以及传感器信号切换等场景下表现优异。它支持双向信号传输,并具备较低的导通电阻特性,能够有效减少信号失真并提高系统效率。
  此外,ES3GB还提供多种封装选项以满足不同应用需求,其工作电压范围宽广,适合在各种电子设备中使用。

参数

供电电压:1.6V至5.5V
  导通电阻:最大4Ω(典型值2Ω)
  导通电阻平坦度:±0.5Ω
  输入电容:4pF(典型值)
  关断电流:1μA(最大值)
  工作温度范围:-40℃至+85℃
  封装形式:SOT-23、TSOP、QFN

特性

ES3GB的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升信号质量。
  2. 宽工作电压范围,使其适用于多种电源环境。
  3. 出色的信号完整性表现,确保在高速信号切换中的稳定性。
  4. 小型化封装设计,节省PCB空间,便于便携式设备集成。
  5. 支持高达10MHz的信号切换频率,满足高频应用需求。
  6. 良好的静电防护能力,提高了产品的可靠性。

应用

ES3GB适用于以下领域:
  1. 音频设备中的线路切换。
  2. 数据通信设备中的信号路由。
  3. 工业控制中的多路复用器功能。
  4. 消费类电子产品中的传感器信号处理。
  5. 移动设备中的天线切换与射频信号管理。
  6. 医疗仪器中的信号采集与切换。
  7. 测试测量设备中的精密信号控制。

替代型号

ADG1412, TS5A21574, MAX4642

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ES3GB参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格6,000 : ¥1.51684卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)400 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)3A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.13 V @ 3 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)35 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10 μA @ 400 V
  • 不同?Vr、F 时电容41pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-214AA,SMB
  • 供应商器件封装DO-214AA(SMB)
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C