制造商：Qorvo
　　产品系列：Broadband LDMOS RF Power Transistor
　　晶体管类型：N-Channel Enhancement Mode LDMOS
　　工作频率范围：DC - 1 GHz
　　输出功率（Pout）：150 W（典型值）
　　增益：24 dB（典型值，在900 MHz）
　　漏极电压（Vds）：50 V
　　栅极电压（Vgs）：-3.5 V 至 +2.5 V
　　静态漏极电流（Idq）：250 mA（典型值）
　　封装类型：Flange-Mounted Plastic Package (SOT-502)
　　输入/输出阻抗：内部匹配至50 Ω
　　热阻（Rth-jc）：0.35 °C/W
　　驻波比耐受能力：可承受10:1 VSWR
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C（结温）

QM15DX-H的核心特性之一是其基于Qorvo成熟的LDMOS工艺平台构建，这使得它在高频、高功率应用场景下具备出色的效率与可靠性。
　　该器件在900 MHz以下频率范围内能够持续输出高达150 W的射频功率，同时保持超过24 dB的功率增益，确保了在低驱动电平下也能实现高效的信号放大。这种高增益特性显著降低了前级驱动级的设计复杂度，允许使用更低功耗的驱动放大器，从而优化整体系统的能效表现。
　　LDMOS结构本身具有较宽的安全工作区（SOA），结合器件内置的热反馈抑制机制，使其在过载或负载失配情况下仍能维持稳定运行。QM15DX-H被设计为可承受高达10:1的电压驻波比（VSWR）而不损坏，这对于部署在动态阻抗变化较大的环境中（如等离子体负载或移动通信基站）至关重要。
　　该器件采用全塑封SOT-502封装形式，配备金属法兰用于高效散热，支持螺钉固定到散热器上，确保长期高温运行下的热管理有效性。热阻仅为0.35°C/W，表明其从结到壳的热量传导非常高效，有助于延长器件寿命并提升系统稳定性。
　　另一个关键优势是其输入和输出端口均已内部匹配至50 Ω，极大简化了外围匹配网络的设计需求，缩短开发周期，并减少因外部元件公差引起的性能波动。这一特性对于快速原型开发和批量生产尤为有利。
　　此外，QM15DX-H具备良好的线性度和互调失真性能，适用于对信号保真度要求较高的模拟调制系统。其栅极氧化层经过特殊处理，提升了抗静电击穿能力，符合行业标准的ESD防护等级，进一步增强了现场使用的耐用性。

QM15DX-H广泛应用于多个高功率射频领域，尤其适合需要高效率、高稳定性和宽带操作能力的系统。
　　在工业加热和感应加热设备中，该器件用于生成用于金属熔炼、焊接或热处理的射频能量，其高输出功率和优良的热稳定性确保长时间连续运行的可靠性。
　　在医疗设备方面，QM15DX-H可用于磁共振成像（MRI）系统的射频发射链路，提供精确可控的射频激励信号，满足医学成像对信号纯净度和稳定性的严格要求。
　　此外，在广播发射机（如FM、VHF电视广播）中，该器件可作为末级功率放大器，提供足够的覆盖范围和信号强度，同时保持较低的运营能耗。
　　在通信基础设施领域，QM15DX-H适用于陆地移动无线电（LMR）、公共安全通信系统以及私人基站建设，支持多种调制格式下的线性放大。
　　科研和实验装置中，如等离子体发生器、粒子加速器前端激励源或材料处理系统，也常采用QM15DX-H作为核心射频功率源，因其可在恶劣电磁环境下保持稳定的输出性能。
　　由于其宽频带响应和高耐压特性，该器件还被用于电子对抗（ECM）、雷达测试仪和通用宽带功率放大模块中，展现出强大的适应性和扩展潜力。

MRF1545
　　SRF15G250H
　　BLF188XR